半导体的发展历史.docx

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conductor 与绝缘体inuator 之间的资料。资料的导电性是由“传
导带”conductionband 中含有的电子数量决定。下面一起看下。
半导体的发现实质上可以追想到许久以前, 1833年,英国巴
拉迪最先发现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同样于一般金属,
一般情况下,金属的电阻随温度高升而增加,但巴拉迪发现硫化
银资料的电阻是随着温度的上升而降低。这是半导表现象的首次
发现。不久,1839年法国的贝克莱尔发现半导体和电解质接触形
成的结,在光照下会产生一个电压,这就是此后代们熟知的光生
伏特效应,这是被发现的半导体的第二个特色。
1873年,英国的史密斯发现硒晶体资料在光照下电导增加的
光电导效应,这是半导体又一个特有的性质。半导体的这四个效
应,iania 霍尔效应的余绩──四个伴见效应的发现虽在 1880年
以前就先后被发现了,但半导体这个名词大概到 1911年才被考尼
白格和维斯首次使用。而总结出半导体的这四个特色向到达 1947
年12月才由贝尔实验室完成。在 1874年,德国的布劳恩观察到
某些硫化物的电导与所加电场的方向相关,即它的导电有方向性,
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在它两端加一个正向电压,它是导通的 ;若是把电压极性反过来,
它就不导电,这就是半导体的整流效应,也是半导体所特有的第
三种特色。同年,舒斯特又发现了铜与氧化铜的整流效应。
贝尔实验室1张很多人会疑问,为什么半导体被认可需要这
么多年呢主要原因是当时的资料不纯。没有好的资料,很多与材
料相关的问题就难以讨情楚。中关于半导体的一些说明。半导体
于室温时电导率约在 10ˉ10~10000/Ω·cm之间,纯净的半导体
温度高升时电导率按指数上升。半导体资料有很多种,按化学成
分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。除上述晶态半导体
外,还有非晶态的有机物半导体等和本征半导体。
中国半导体器件型号命名方法
半导体器件型号由五部分场效应器件、半导体特别器件、复
合管、H,H,H,H,-双向可控硅。第四部分:用数字表示在日本电子
工业协会JEIA登记的序次号。两位以上的整数 -从“11”开始,
表示在日本电子工业协会 JEIA登记的序次号;不同样公司的性能相
同的器件可以使用同一序次号 ;数字越大,越是近期产品。第五部
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分:用字母表示同一型号的改进型产品标志。 A、B、C、D、E、F
表示这一器件是原型号产品的改进产品。
美国半导体分立器件型号命名方法
美国晶体管或其他半导体器件的命名法较凌乱。美国电子工
业协会半导体分立器件命名方法以下:第一部分:用符号表示器
件用途的种类。JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、
JANS-宇航级、无-非军用品。第二部分:用数字表示 -封闭磁路中
的霍尔元件、P-光敏器件、Q-发光器件、R-小功率晶闸管、S-小
功率开关管、T-大功率晶闸管、 U-大功率开关管、 X-倍增二极管、
Y-整流二极管、Z-稳压二极管。第三部分:用数字或字母加数字
表示登记号。三位数字 -代表通用半导体器件的登记序号、一个字
母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。
第四部分:用字母对同一种类号器件进行分档。 A、B、C、D、
E┄┄-表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。除四个
基本部分外,有时还加后缀,以差异特色或进一步分类。常有后
缀以下:1稳压二极管型号的后缀。此后缀的第一部分是一个字母,
表示牢固电压值的同意误差范围,字母 A、B、C、D、E分别表示
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同意误差为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%;此后缀第二部分是
数字,表示标称牢固电压的整数数值 ;后缀的第三部分是字母 V,
代表小数点,字母 V此后的数字为稳压管标称牢固电压的小数值。
整流二极管后缀是数字,表示器件的最大反向峰值耐压值,单位是伏特。3晶闸管型号的后缀也是数字,平时标出最大反向峰值耐
压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。如:BDX51-
表示NPN硅低频大功率三极管, AF239S-表示PNP锗高频小功率三
极管。五、欧洲早期半导体分立器件型号命名法
欧洲有些国家命名方法
第一部分:O-表示半导体器件第二部分: A-二极管、C-三极
管、AP-光电二极管、 CP-光电三极管、 AZ-稳压管、RP-光电器件。
第三部分:多位数字 -表示器件的登记序号。第四部分: A、B、
C┄┄-表示同一型号器件的变型产品。
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