模拟电子技术基础第四版课后答案童诗白.pdf

模拟电子技术基础

第四版



清华大学电子学教研组编


童诗白华成英主编



自测题与****题解答



山东大学物理与微电子学院
目录


第章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥
1 3
第章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥
2 14
第章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥
3 31
第章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥
4 41
第章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥
5 50
第章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥
6 60
第章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥
7 74
第章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥
8 90
第章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥
9 114
第章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥
10 126
2
第章常用半导体器件
1
自测题

“”“”
一、判断下列说法是否正确用× 和√表示判断结果填入空内。
)
(1) N P (
在型半导体中如果掺入足够量的三价元素可将其改型为型半导体。√
(2) N ( )
因为型半导体的多子是自由电子所以它带负电。×

(3)PN ( )
结在无光照、无外加电压时结电流为零。√
(4) ( )
处于放大状态的晶体管集电极电流是多子漂移运动形成的。×

(5)
结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压才能保证
( )
R
大的特点。√
其

G S
(6) N MOS
( )
U
若耗尽型沟道管的
大于零则其输入电阻会明显变小。×

G S

二、选择正确答案填入空内。

(l) PN A
。
结加正向电压时空间电荷区将
A. B. C.
变窄基本不变变宽

(2) C
。
稳压管的稳压区是其工作在
A. B. C.
正向导通反向截止反向击穿

(3) B
。
当晶体管工作在放大区时发射结电压和集电结电压应为
A. B. C.
前者反偏、后者也反偏前者正偏、后者反偏前者正偏、后者也正偏
=0V A C
(4) U
GS
时能够工作在恒流区的场效应管有、。
A. B. MOS C. MOS
结型管增强型管耗尽型管

=
U
D
。
三、写出图所示各电路的输出电压值设二极管导通电压




图
=, U =0V, U =-, U =2V, U =, U =-2V
U
O1 O2 O3 O4 O5 O6
。
解
=6V I =5mA
U
Z Zmin
稳定电流的最小值。求图所示电路
四、已知稳压管的稳压值
3
U U
O1 O2
中和各为多少伏。

(a) (b)

图

=6V
U
O1
。
解左图中稳压管工作在击穿状态故
=5V
U
O2
。
右图中稳压管没有击穿故


V =15V =100 U =
CC BE

五、电路如图所示。

试问

=50k Uo=?
(1)R
b
时
=?
(2) T R
b
若临界饱和则

V U
B B B E
(1)



2 6
I A
解

B
R
b
,


I I 2 . 6 m A
C B


U V I R 2 V
。图
O C C C c

V U
C C B E
(2)



I I / 2 8 . 6 A

2 .8 6
I m A
∵

B S C S
C S
R
c

V U
B B B E



4 5 .5
R k
∴
b
I
B S
MOS
六、测得某放大电路中三个管的三个电极的电位如表所示它们的开启
电压也在表中。试分析各管的工作状态截止区、恒流区、可变电阻区并填入表

内。

表
U /V U /V U /V U /V
GS(th) S G D
管