PIE工程师必备.doc

PIE

PIE
1.
何谓PIE? PIE的主要工作是什幺?
答:Process Integration Engineer(工艺整合工程师), 主要工作是整合各部门的资源, 对工艺持续进行改善, 确保产品的良率(yield)稳定良好。
2.
200mm,300mm Wafer 代表何意义?
答:8吋硅片(wafer)直径为 200mm , 直径为 300mm硅片即12吋.
3.
目前中芯国际现有的三个工厂采用多少mm的硅片(wafer)工艺?未来北京的Fab4(四厂)采用多少mm的wafer工艺?
答:当前1~3厂为200mm(8英寸)的wafer, 。未来北京厂工艺wafer将使用300mm(12英寸)。
4.
我们为何需要300mm?
答:wafer size 变大,单一wafer 上的芯片数(chip)变多,单位成本降低
200→300 ,
5.
um 的工艺能力(technology)代表的是什幺意义?
答: um的栅极线宽。当栅极的线宽做的越小时,整个器件就可以变的越小,工作速度也越快。
6.
->->->-> 的technology改变又代表的是什幺意义?
答:栅极线的宽(该尺寸的大小代表半导体工艺水平的高低)做的越小时,工艺的难度便相对提高。 -> -> -> -> 代表着每一个阶段工艺能力的提升。
7.
一般的硅片(wafer)基材(substrate)可区分为N,P两种类型(type),何谓 N, P-type wafer?
答:N-type wafer 是指掺杂 negative元素(5价电荷元素,例如:P、As)的硅片, P-type 的wafer 是指掺杂 positive 元素(3价电荷元素, 例如:B、In)的硅片。
8.
工厂中硅片(wafer)的制造过程可分哪几个工艺过程(module)?
答:主要有四个部分:DIFF(扩散)、TF(薄膜)、PHOTO(光刻)、ETCH(刻蚀)。其中DIFF又包括FURNACE(炉管)、WET(湿刻)、IMP(离子注入)、RTP(快速热处理)。TF包括PVD(物理气相淀积)、CVD(化学气相淀积) 、CMP(化学机械研磨)。硅片的制造就是依据客户的要求,不断的在不同工艺过程(module)间重复进行的生产过程,最后再利用电性的测试,确保产品良好。
9.
一般硅片的制造常以几P几M 及光罩层数(mask layer)来代表硅片工艺的时间长短,请问几P几M及光罩层数(mask layer)代表什幺意义?
答:几P几M代表硅片的制造有几层的Poly(多晶硅)和几层的metal(金属导线). 的逻辑产品为1P6M( 1层的Poly和6层的metal)。而
光罩层数(mask layer)代表硅片的制造必需经过几次的PHOTO(光刻).
10.
Wafer下线的第一道步骤是形成start oxide 和zero layer? 其中start oxide 的目的是为何?
答:①不希望有机成分的光刻胶直接碰触Si 表面。
②在laser刻号过程中,亦可避免被产生的粉尘污染。
11.
为何需要zero layer?
答:芯片的工艺由许多不同层次堆栈而成的, 各层次之间以zero layer当做对准的基准。
12.
Laser mark是什幺用途? Wafer ID 又代表什幺意义?
答:Laser mark 是用来刻wafer ID, Wafer ID 就如同硅片的身份证一样,一个ID代表一片硅片的身份。
13.
一般硅片的制造(wafer process)过程包含哪些主要部分?
答:①前段(frontend)-元器件(device)的制造过程。
②后段(backend)-金属导线的连接及护层(passivation)
14.
前段(frontend)的工艺大致可区分为那些部份?
答:①STI的形成(定义AA区域及器件间的隔离)
②阱区离子注入(well implant)用以调整电性
③栅极(poly gate)的形成
④源/漏极(source/drain)的形成
⑤硅化物(salicide)的形成
15.
STI 是什幺的缩写? 为何需要STI?
答:STI: Shallow Trench Isolation(浅沟道隔离),STI可以当做两个组件(device)间的阻隔, 避免两个组件间的短路.