第8章 存储器与可编程器件 hww.ppt

第8章 存储器与可编程器件_hww第八章存储器与可编程器件
杭州电子科技大学电子信息学院
教材原著:《数字电路》
龚之春编著
8-1 概述

体积小,集成度高等
:
按制造工艺
按存储原理
双极型
MOS型
静态:存储单元是触发器
动态:电容存储信息
:
二. 存储器的技术指标
存储容量= n 字(单元数) × m 位
(n个单元m位的二进制信息)
1K=1024 Byte(字节)
1M=1024 K
1G =1024 M
计算机的存储单元称为字节。
这里的存储单元指存放一位0,1的物理器件
:单位(位、字节、字)
存储容量是 ROM 的主要技术指标之一,
它一般用存储字数:2N 输出位数:m 来表示
( 其中N为存储器的地址线数)。
§2 随机存取存储器( RAM )
读写存储器又称随机存储器。
特点:在工作过程中,既可从存储器的任意单元读出信息,又可以把外界信息写入任意单元,因此它被称为随机存储器,简称 RAM 。
Random Access Memory
.
.
.
RAM 按功能可分为静态、动态两类;
RAM 按所用器件又可分为双极型和 MOS型两种。
静态RAM(SRAM)
可随意读写数据
SRAM 读写时序
1、写
2、读
动态RAM
电容存储电荷
刷新
特点:
存储容量大
功耗大
需要刷新电路
动态RAM
§3 只读存储器( ROM )
只读存储器在工作时其存储内容是固定不变的,因此,只能读出,不能随时写入,所以称为只读存储器。
Read Only Memory
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.
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腌膜 ROM : MROM
可编程ROM:PROM OTP
紫外线可擦写可编程:EPROM
电可擦除可编程:EEPROM (E2PROM)
闪烁存储器: FLASH ROM
串行电可擦除可编程:SE2PROM