下载此文档

声子晶体中多频带谷选择性角态 郑周甫.pdf


文档分类:医学/心理学 | 页数:约10页 举报非法文档有奖
1/10
下载提示
  • 1.该资料是网友上传的,本站提供全文预览,预览什么样,下载就什么样。
  • 2.下载该文档所得收入归上传者、原创者。
  • 3.下载的文档,不会出现我们的网址水印。
1/10 下载此文档
文档列表 文档介绍
该【声子晶体中多频带谷选择性角态 郑周甫 】是由【学习好资料】上传分享,文档一共【10】页,该文档可以免费在线阅读,需要了解更多关于【声子晶体中多频带谷选择性角态 郑周甫 】的内容,可以使用淘豆网的站内搜索功能,选择自己适合的文档,以下文字是截取该文章内的部分文字,如需要获得完整电子版,请下载此文档到您的设备,方便您编辑和打印。网络首发时间:2023-08-0108:54:45网络首发地址:https:///kcms2/detail/:,2,尹剑飞1,2*,温激鸿1,2,郁殿龙1,2,陈循1,,长沙410073;,长沙410073*E-mail:******@:2023-02-04;接受日期:2023-06-27国家自然科学基金(批准号:11991032,11991034)资助项目摘要声学拓扑绝缘体具有拓扑保护、背散射及缺陷免疫的非传统声学边界态,为实现声波按需精细调控提供了一种有效的方法,其中二维高阶拓扑绝缘体中共同存在零维角态和一维边界态,使其拥有在多个维度上操纵波能量的能力,进一步增强了波调控的灵活度,,,,本文所设计的元胞结构能够在基频带隙和二阶高频带隙中同时实现边界态的波导调控和角态的选择性激发,,同时角态的谷选择性激发特点可推动声学拓扑绝缘体在多波段声波能量捕获、,谷选择性激发,高阶拓扑绝缘体,拓扑相变1引言控能力的材料,已经在光波[18,19]、声波[20,21]、电磁波[22],高声子晶体概念的提出为实现声波传播和耗散的精阶拓扑绝缘体可以实现一维边界态和零维角态,其中细调控提供了实现途径,这种人工周期结构在声波聚边界态具有优秀的波导效果,并且对应的能带结构通焦[1]、声隐身[2~5]、超分辨成像[6,7]以及振动噪声控常不能横跨整个体带隙范围而存在带隙,该带隙被称制[8~11],学科交叉融合不断发展,,高阶拓扑绝缘体的体边对应关系被广泛研究[12~17],其具有优秀的声波精细调控能力,展现出一种层级的体带隙-边界态和边界带隙-角态的可以实现声波无损传输、单向波导,,,声学领域高阶拓扑态在声波操纵方面展现其中,高阶拓扑绝缘体作为一种具有多维度波调出了丰富的物理意义和广阔的工程应用潜力,因而受引用格式:郑周甫,尹剑飞,温激鸿,:技术科学,2023,53ZhengZF,YinJF,WenJH,,valley-rystals(inChinese).SciSinTech,2023,53,doi:-2023-0051?2023《中国科学》杂志社郑周甫等:,在四极子理论启发下设计的具有声子晶体结构,结构中灰色区域为空气,白色区域表示正负耦合共存的微扰机械声子晶体,,晶格[23]高阶拓扑绝缘体的波调控效果提供平台;类似地,常数为a=43mm,晶格矢量表示为a1=(1,0)a,a2=基于广义Su-Schrieffer-Heeger(SSH)模型的声学模拟,(1/2,3/2)(b)所示,元胞由3个旋转角度互为[24,25]在kagome晶格中验证了Wannier类型高阶拓扑态,120°的T形散射体组合而成,该结构可以沿元胞中心处在该类型的声学拓扑绝缘体的元胞中,,不同α带拓扑与非零的体极化相联系,,Wannier长和宽分别为w1=5mm,h1=,而头部为w2=出高阶拓扑绝缘体边界态和角态的存在另外通过模.,9mm,h2=3mm.[26][27,28]拟量子自旋霍尔效应,,,在高阶拓扑绝缘体中,SOLMultiphysics有限元分析软件制,角态通常只能在特定几何的拐角结构上实现,,仿真过程中,元胞内散射体被视为声学刚性边界,其[29]通过将谷自由度引入到二阶拓扑绝缘体中,[30]入Kekul‘e调制来超越元胞的几何约束,实现了具有和343m/,,,在多频带内进行角态激发的对于旋转角度α=0°的初始结构,图2(a)中仿真能相关研究却十分鲜见,因而限制了其在多波段工程场22带图表明其在高对称点K(即波矢k=(,)处)的景中的应用,如多波段检测、,,初始状态下存在两为形成带隙,可通过改变散射体的旋转角度α给予个不同频率范围的Dirac锥,通过旋转散射体可以打开这两个简并能带,,,通过利用具有不同拓扑相元胞组成的超元胞,计算其能带结构并观察对应模态特性,分析了高阶拓扑绝缘体中体带隙、边界带隙和边界态、,,.(a)T散射体的声子晶体结构;(b)元胞结构,其中,白色散射体表示初始位置(α=0°),浅蓝色散射体表示其绕元胞中心逆时针旋转α后的位置rystalandunitcells.(a)rystalwithperiodicdistributedT-shapedscatterers;(b),wherethewhitescatterersrepresenttheinitialposition(α=0°),andthelightbluescatterersindicatethattheyrotateα本文通过周期布列散射体构造了如图1(a):技术科学图2声子晶体板在不同旋转角度下的能带结构.(a)α=0°,在高对称点K处出现两个Dirac锥;(b)α=?30°,简并能带提升形成两个完全带隙,右侧插图为高对称点K处模态的压力场分布以及声能流矢量方向;(c)α=30°,基频带隙、高频带隙两侧的频带模态位置发生反转rystalatdifferentrotationangles.(a)onesappearatthehighsymmetrypointKwhenα=0°;(b)pletebandgapswhenα=?30°.TherightinsetsshowthepressurefielddistributionoftheeigenmodesandthedirectionofthesoundenergyfluxvectoratthehighsymmetrypointK;(c)theeigenmodesonbothsidesofthefundamentalandhighfrequencybandgapsarereversedwhenα=30°.初始元胞一定扰动,这种扰动将提升高对称点K(K’)处对于α=?30°的元胞UC1,通过带隙下侧本征模态相位(3)(3)(3)的简并能带,从而打开Dirac锥形成完全带隙,如图2中图和标记的Γ1,K1,K2,可以计算得到其基频和高α=?30°,0°,30°(b)和(c)中,当频带隙的拓扑不变量均为=(1,1),而对于α=30°的α=?30°和30°时,~,根据图3(b)中的相位图可以得到=(1,0).~,高这两种元胞均不同于拓扑指标=(0,0)的平庸元胞,对称点处四个特征态的压力场分布如图和右K2(b)(c)他们都是高阶非平庸能带拓扑,这意味着由其组成的侧插图所示,从中可以发现,=?30°30°,平庸元胞的Wannier中心位于元胞的几频、模态和高频、模态的谷旋涡方向发生了反s1s2s3s4何中心,而高阶非平庸元胞UC1,UC2的Wannier中心转这表明对于能带简并点提升之后所产生的带隙在,,将与非零的体极化相关,[31]由于本文主要关注高阶拓扑态,声子晶体中双频2P=([K(3)]+2[K(3)])(a+a).(2)带拓扑相变过程可以利用拓扑指标χ和体极化进行定31212量分析以进一步预测出结构中的拓扑边界态和拓扑,因此,对于元胞UC1,,χ211[31]为P=(a+a)=,在达式为31231323元胞内存在特殊的高对称点,被称为最大Wyckoff位=([K(3)],[K(3)]),(1)12置,(n)(n)(n)(n)合体极化分析,此时元胞UC1的Wannier中心位于其中,p=#p#p,#p(=,X,M)Wyckoff位置b,如图3(c)(p1)/n为P=a+a,Wannier中心位于Wyckoff位置c,如称性本征值e的能带数,(a)中所示,图3(d),无论是基频带隙还是高频带隙3郑周甫等:声子晶体中多频带谷选择性角态图3(a)元胞UC1和(b)元胞UC2的高对称点Γ和K点本征态压力场相位图.(c)元胞UC1和(d)元胞UC2拓扑指标χ以及对应Wannier中心分布Figure3ThephasesofeigenmodesoftheUC1(a)andUC2(b)(c)andUC2(d).图4超元胞S1在基频(a)和高频(b),两种元胞的Wannier中心分布均与谷旋涡的分布线为边界态能带,黑色点线为体态能带;浅橙色区域为边界带隙区域插图中本征态为波矢处边界态模态相对应,这种现象表现出典型的谷锁特性,是高阶角态;k=π/aFigure4ThebandstructuresofsupercellS1atthefundamental(a)[29](b),=π/,其典型特征是体带隙内存在一维边界态,并且边界态不能横跨整个体带隙而出现边界带隙,,边界态出现于具有不同拓扑边界态(其压力场分布如右侧插图本征态所示),这种相元胞组成的界面上,因而本节首先将6个元胞UC1和模态能够实现声波的定向引导,为精细操纵声波的定6个UC2组合成两种具有zigzag边界的超元胞S1和S2,,,特别是高阶拓扑绝缘体中体带隙、边界带隙和边隙中,边界带隙位于边界态能带上侧(浅橙色区域),而界态、角态之间关系,,(a)和(b)右侧插图所示,将元胞UC1位于超带隙的边界态将为角态的出现提供一定的保证,在之元胞的上侧而UC2位于结构下侧,,算其能带曲线时,,,此时带结构计算结果分别如图4(a)和(b)所示,其基频和高将形成另外一个zigzag边界模式,对应超元胞称之为4中国科学:,基频和高频范围能带结构分别如图构中间部分为元胞UC1,其组成边长为5个元胞长度的5(a)和(b),区域外侧包围三层元胞UC2,,没有边界带隙将难以保证波辐射边界条件,,,用红色点表示其区域界面上与谷旋涡相关的Wan-不过,高频的体带隙内存在一个边界带隙(浅绿色区nier中心分布,从中可以清晰地看到沿着zigzag边界和域),下文将通过分析包含该边界模式的三角形角结构拐角处被分割的Wannier中心分布,“电荷”分离,从而能够预测边界态和角态的出现[21].由于基频带隙和高频带隙中的体极化一致所以两个带隙中的角态将在不同频率点3谷选择性角态,(b)所示,从为了观察结构中的角态,并揭示多频带谷选择性角态实现的内在机理,本节中首先基于超元胞S1的边界模式构造了一个三角形的结构I,如图6(a)所示,结图6(a)三角形结构I示意图及元胞UC1区域放大图,图中边界和拐角处Wannier中心分布用红色点标记;(b)结构I的基频和高频特征谱;(c)结构I在基频和高频处角态的压力场分布Figure6(a)SchematicdiagramoftriangularstructureIandtheenlargedviewoftheUC1domainwheretheWanniercentersattheboundariesandcornersaremarkedwithreddots;(b)theeigenspectra图5超元胞S2在基频(a)和高频(b)处的能带结构ofstructureIatfundamentalandhighfrequencyregime;(c)pressureFigure5ThebandstructuresofsupercellS2atthefundamental(a)fielddistributionsofthecornerstatesofstructureIatfundamentalandandhighfrequency(b):声子晶体中多频带谷选择性角态中可以看到与图4中超元胞S1能带相吻合的边界态频率范围和带隙分布情况:在体能带隙中,存在波场能量沿三角形边界分布的边界态和边界带隙,并在边界带隙频率范围中观察到了三个本征态,其能量局域在结构的拐角处,是典型的角态行为,对应的压力场分布如图6(c),此时角态的波局域能力比基频处显得更强,,,角态出现于边界带隙范围内,,旋转结构I中的散射体角度,使得结构中元胞UC1和UC2的位置发生反转,并称之为结构II,如图7(a)所示,此时沿着zigzag边界被分割的Wannier中心仅仅存在于两种元胞组成的界面上,而没有出现在拐角处,(b)所示,通过计算其特征谱,在基频和高频体带隙频率范围中,其本征模态压力场分布(如图7(c)所示),边界态频率分布范围与超元胞S2中边界态能带频率范围相一致,尽管高频体带隙频率范围中存在一图7(a)三角形结构II示意图及元胞UC2区域放大图;(b)个边界带隙,但是在该频率范围并没有形成角态,这结构II的基频和高频特征谱;(c)结构II在基频和高频处边界表明边界带隙的存在并不一定保证角态出现,角态的态的压力场分布存在与否取决于元胞的高阶拓扑特性[29].基于这种三Figure7(a)SchematicdiagramoftriangularstructureIIandtheenlargedviewoftheUC2domain;(b)theeigenspectraofstructureIIat角形结构,可以设计得到多频带波导传输器件和角态fundamentalandhighfrequencyregime;(c)pressurefielddistributionsoftheedgestatesofstructureIIatfundamentalandhighfrequency选择性激发器件,,,因此结模式,,,,,融合谷自由度的多频带高阶拓扑绝缘体,进一步设计无论是基频还是高频体带隙内,边界态频率范围均几包含不同拐角类型的结构,,(a),其处于两种不同zigzag平行四边形结构,结构中间部分为元胞UC2,其组成边界模式的交界处,将主要受到超元胞S2的边界态影边长为5个元胞长度的平行四边形区域,区域包围三响而处于波导状态,(b)和(c)所示,在该结构中存在锐角A/B和钝角C/(浅橙色区域),既可以发现基于前文分析,在拐角A上,其Wannier中心分布位于拐角A的角态(红色箭头标记处),也可以发现边界6中国科学:技术科学图8(a)平行四边形结构示意图及元胞UC2区域放大图;(b),(c)该结构的基频和高频特征谱,其中浅橙色区域为超元胞S1的边界带隙区域,红色箭头处为角态频率点;(d),(e)该结构在基频边界带隙和高频边界带隙内的角态、边界态的压力场分布Figure8(a)SchematicdiagramoftheparallelogramstructureandtheenlargedviewoftheUC2domain.(b),(c)Theeigenspectraofthestructureatfundamentalandhighfrequencyregime,wherethelightorangeregionistheedgebandgapofsupercellS1,andtheredarrowspointtothecornerstates;(d),(e)thepressurefielddistributionsofthecornerandedgestatesofthestructurewithinthefundamentalandhighfrequencyedgebandgaps,,即边界态和角态几乎同频出现,但是波局域效果和保护,,(d)和(e)所示,其中角态的能量局域在拐角A处,并且的三角形结构I,引入了两种不同的扰动:%和散射体额外旋转5°.以往的研究表明[21],当扰动主要局域在靠近拐角B的边界上,表明这些模态是由施加到结构的拐角处时,尽管角态不会发生畸变,但是拐角B附近的zigzag边界贡献的,而与剩余的两条边界将出现较大的频率偏移;,在该本征态中,并没发现能量局域于拐角时,,C/,本文直接将扰动对于该结构,调整散射体的旋转角度可以选择性施加到拐角处的元胞上进行角态的鲁棒性分析,如图地实现拐角A和B处角态交替激发,例如将图8(a)所示9(a)和(b)所示,°,将使得拐角B可以激发角施加扰动后,计算本征谱如图9(c)和(d).可以看出,态而拐角A处不能,但是不管如何调整,拐角C/D中将在所有拐角处元胞被施加扰动的情况下,,尽管它们的激发频率稍微地偏性,旋转所有散射体60°以后的结构等价于现有结构旋离了原来的本征频率位置,但是结合本征模态可以发转180°,因此其本征谱将不变,只是对应的本征模态压现,所激发的角态对波的约束能力没有发生根本性转力场分布也进行相应旋转,,对于将散射体放大10%的扰动,%,%;对于将散射体额外旋转5°的扰动,%,%.在结构缺陷扰动下,7郑周甫等:声子晶体中多频带谷选择性角态高频处角态频率偏移量比基频处高,,整体而言,这种偏差很小且角态的波调控特性没有发生畸变,,并从理论上、°时,,,可以分析其能带曲线得到边界态和角态存在的频率范围,以及体带隙、边界带隙和边界态、,例如可以通过构造平行四边形结构,(绿色框内)施加散射体放由于角态的出现与谷自由度密切关联,可以通过大10%扰动(a)和散射体额外旋转5°扰动(b).(c),(d),对直接施加到Figure9IntriangularstructureI,a10%amplificationdisturbance(a)andanadditional5°rotationdisturbance(b)(theunitcellswithinthegreenboxes).(c),(d)TheeigenspectraofthestructureIwithinthefundamentalandsecond-,MovchanA,PéturssonG,,2007,9:3992WangY,ZhaoH,YangH,,2022,171:1089113WangY,ZhaoH,YangH,,2021,54:2653014ChenY,ZhaoB,LiuX,,2020,40:1009165DongHW,ZhaoSD,OudichM,,2022,17:440136ZhuJ,ChristensenJ,JungJ,-structuredmetamaterialforacousticdeep-,2011,7:52–557LiuT,ChenF,LiangS,-enabledspoofsurfaceacousticwave8中国科学:,2019,11:340618YongX,WenJH,

声子晶体中多频带谷选择性角态 郑周甫 来自淘豆网www.taodocs.com转载请标明出处.

相关文档 更多>>
非法内容举报中心
文档信息
  • 页数10
  • 收藏数0 收藏
  • 顶次数0
  • 上传人学习好资料
  • 文件大小1.54 MB
  • 时间2023-08-04