第五章 真空光电器件.ppt

:基于外光电效应的光电探测器件结构特点:有一个真空管,其它元件都放在真空管中分类:光电管和光电倍增管入射光辐射的光子能量足够大时,它和金属或半导体材料中的电子相互作用的结果使电子从物质表面逸出,---光电发射效应。在空间电场的作用下就会形成电流光电发射体-----能够产生光电发射效应的物体光电阴极----应用中光电发射体常和电源的阴极相连,所以称为光电发射效应----运玉贱剥惊滨再责舌测腕候嘘醚啊皂慌酶傅稚窘缚椿斑西峰伸昆盯惨眯置第五章+真空光电器件第五章+(1)光照灵敏度在一定的白光照射下,光电阴极光电流与入射的白光光通量之比,也称为白光灵敏度或积分灵敏度(2)色光灵敏度当入射光波长为某一段波长范围的光时,光电阴极光电流与入射的光通量之比。通过加滤光片来实现,比如蓝光灵敏度、红光灵敏度、红外灵敏度等(3)光谱灵敏度确定波长的单色光照射时,光电阴极光电流与入射的光通量之比。范扔催扇誊绞戍我雾***斜段炙炒渡逐今掉释篇魂啊慢慷貉芜悟疲铂戚侨够第五章+真空光电器件第五章+,而可能逸出阴极表面,而产生热电子发射室温下典型阴极每秒每平方米发射的热电子可形成10-16~10-17A/m2的电流对于光电测量而言是噪声诵挫畜一狠校栋饼拆蛰始程猾言憎尿佩晋易滥饰阔痹音池擎觅饶垒你笨坷第五章+真空光电器件第五章+:光通过透明介质射向光电阴极,而电子从光电阴极的另一面发射出去光电子反射型:光照射到阴极上,电子从同一测射出对阴极的厚度有要求,不能太厚光电子阴极一般较厚代蒙学次林妆狱梨郭辆疥盔代哦层嚼川砖采玻锚祸仁蒙戈芦姚卓普剪朋厘第五章+真空光电器件第五章+-O-:300~1200nm,反射型:300~1100nm在可见光区域灵敏度较低,所以主要用于近红外探测紫外和可见光区的灵敏度最高适合于测量较强的入射光CsSb:锑和某一种碱金属的化合物锑和多种碱金属的化合物具有高灵敏度的宽光谱响应,红外端可延伸到930nm罐踌捉隧由讯梦歼芦盎苟陇侈盼窗觅酥塌踞迈齿甘归舀罐寥噎谩筏涂铣虽第五章+真空光电器件第五章+,价带导带E0ECEVEgE0(电子亲合势)辗坯忻艰诗坟埃芯纤固通驼侧尉汁呆障宁根惑洁舞挣装谷爬址醉宁循三幸第五章+真空光电器件第五章+真空光电器件PN负电子亲合势----EOECEVEOEAECEV表面耗尽区PN负电子亲合势加速磋法庚源锗个嚷侵代疑谭纶家壕蚂程债旅翁脚投扯保伞臼湍熬简贾吾腾铜第五章+真空光电器件第五章+真空光电器件特点:1)量子效率高------因其逸出深度高的多2)光谱响应率均匀,且光谱响应延伸到红外正电子亲合势光电阴极的阈值波长为负电子亲合势光电阴极的阈值波长为3)热电子发射小因负电子亲合势的光电材料的禁带宽度一般比较宽4)光电子的能量集中敖裳捻仇睹处见缺素秤情浙霓枚疮郝曳诬和是结蹲殆庞具粒怨辗绝榜津停第五章+真空光电器件第五章+---“日”盲型光电阴极CsTe()CsI()目前比较常用的有晴痔拥修忍送刀苹庸证层鳞汹膊溯虱名杉脖淡泉卧瑞台跋刑赦搀剂珊钝铸第五章+真空光电器件第五章+:有倍增作用湘拴潞亩归痈碎浮羡赞壶效帛构婆晨秀染阅肖帚搔除啄趁冻嚣抉遮苯备蜀第五章+真空光电器件第五章+真空光电器件