《东南大学2016年半导体物理考研试卷》.pdf

东 南 大 学 考 试 卷

课程名称 半导体物理 929 考试学期 2013 得分
适用专业 电子科学与技术 考试形式 闭卷 考试时间长度 180 分钟

10 3 19 3
室温下，硅的相关系数： k0 T eV , ni   10 cm , Nc  10 cm

19 3 19
Nv  10 cm ，电子电量 eC 10 。

一、 填空题（每空 1 分，共 30 分）
1. 有效质量是将晶体中 作用概括在其中，有效质量的引入，使得处理晶体
__________
线 中的电子在 __________ 问题时忽略难以确定的晶格力，使问题简单化。__________ 实
验可以测量有效质量。

1
姓名 ， fE() 表示 _________
EE F
1 e kT0

封
几率。室温下，硅的禁带宽度 Eg  eV ，估计室温下本征硅导带底的一个能态被电子

占据的几率为 __________ 。硅导带底的一个能态被电子占据的几率为104 ，此时费米
能级的位置在 ______