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CMOS制造工艺及流程Good
第一页，共75页。
Part 1: process flow introduce
一，衬底材料的准备
二，阱的形成
三，隔离技术
四，栅的完成
五，源漏的制备
六，孔
七，金属1布线
八，平坦化工艺
九，VIA及金属2
十，钝化工艺
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第二页，共75页。
一，衬底材料的准备〔1〕
1，根据设备选择硅片规格：直径6英寸〔150mm〕,厚度为675±20um。
2，根据具体工艺选择硅片的掺杂类型和电阻率： N型〔电阻率4-7Ω 〕、P 型〔电阻率15-25 Ω 〕。
3，从电路和器件考虑是否选用外延片和双面抛光片。
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第三页，共75页。
衬底材料的准备〔2〕
硅片的晶向：MOS器件只选<100>，该晶向Si界面态密度最小，载流子具有较高的迁移率。
<111>晶向界面态密度最高，张力最大。
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第四页，共75页。
二，阱的形成〔用途〕
阱〔Well or called Tub〕的形成.
阱的作用是在一种掺杂类型的衬底上〔N或P〕可以制作两种器件(CMOS)。
根据原始衬底和阱的类型，CMOS工艺可以分为：P-well工艺、N-well工艺和Twin-well工艺。
评价阱的关键参数有：阱的结深〔Xj〕和阱电阻〔Rs〕.
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阱的形成〔原理图〕
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第六页，共75页。
阱的形成〔工艺流程〕
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First Oxide
Si(P)
SiO2
1700 A
阱的形成〔流程图CROSS SECTION〕
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N-Well AND P-WELL IMP
Si(P)
SiO2
阱的形成〔流程图CROSS SECTION〕
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第九页，共75页。
阱的形成〔流程图CROSS SECTION〕
Well Driving in
Si(P)
P-Well
SiO2
N-Well
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