.CMOS静态组合门电路的延迟(速度).ppt

2017-2-27半导体半导体集成电路集成电路 2017-2-27 CMOS 静态组合门电路的延迟(速度) 2017-2-27 延迟时间实测方法 2017-2-27 本节内容?延迟时间的估算方法?负载电容的估算?传输延迟时间估算举例?缓冲器最优化设计 2017-2-27 一、延迟时间的估算方法 R NV in =V DD DD toutVeV 1/??? DD toutVeV)1( 2/????V in =0 V inV out设输入为阶跃信号,则 V out上升(或下降)到 DD时,对应 t PLHt PHL LP LP PLHCRCR t69 .0)2 (ln )2 (ln 1???? LN LN PHLCRCR t69 .0)2 (ln )2 (ln 2????等效电阻负载电容反相器的延迟 2017-2-27 ??1 1个个 PMOS PMOS 导通时, 导通时, t t PLH PLH ~ ~ L LR R P P ??2 2个个 PMOS PMOS 导通时, 导通时, t t PLH PLH ~ ~ L L× × (R (R P P /2) /2) ??2 2个个 NMOS NMOS 导通时, 导通时, t t PHL PHL ~ ~ L L× × 2R 2R N N CMOS 与非门的延迟一般只关注最坏的情况 2017-2-27 等效电阻的估算等效(平均)电阻一般取 R 0 V DDV DD R 0 L: W: R 0约8K欧 2017-2-27 负载电容的估算 C selfC wire C fanout C load =C self +C wire +C fanout 总负载电容自身电容连线电容扇出电容 C GC GC G 2017-2-27 ?扇出电容负载电容的估算( cont.) C fanout =∑C GV inV out C GpC Gn C G=C Gn+C Gp 2017-2-27 Gate Gate P_SUB P_SUB n n + +S S n n + +D D C C GC GCC C GDO GDO C C GSO GSO截止(V GS <V TH)截止区: 沟道未形成, C GD =C GS =0, C GB =C GC ≈CoxWL CoxWL MOSFET 栅极电容( cont.)