主流DDR内存颗粒.doc

主流 DDR2 内存颗粒主流 DDR2 内存颗粒目前,市面上的内存就制造上主要分为两大类。一类来自采用现代、三星、英飞凌等国际半导体芯片制造商生产的的内存芯片,然后打造自己品牌的产品,比如目前金士顿、威刚等品牌的内存都属于此类内存模块。二类就是 DRAM 大厂的原厂内存。由于 DRAM 大厂的原厂内存更多的是被整机厂商使用,而直接在国内零售市场和最终用户见面的机会并不多,目前国内的消费者能够买到的原厂内存一般只有三星“金条”与英飞凌原厂内存。由于原厂内存一般都具有极佳的 PCB 设计和制造品质使其拥有品质优秀、兼容性好、超频能力强、稳定性一流等特点,因此吸引了大批超频玩家通过各种渠道去获得这些原厂内存条来满足自己 PC的超频需要。不过,无论是什么品牌的内存模块,都离不开内存颗粒,这往往是对内存性能的最大决定因素。由于当前可以生产内存颗粒的厂商不多,因此我们很容易从内存颗粒上辨别出所选择内存模块的规格、性能。三星(Samsung) 三星有 GC和ZC(G 为FBGA 封装方式,Y为FBGA-LF) 系列,另外还有 SC和YC ,并采用 90nm 生产工艺,使相同晶元可以生产出更多的颗粒,从而降低了成本。 YC 是外形最小的一种封装方式,性能表现也最好,现在市面上很少见到。目前较常见到的有( 多用于 DDR2-400) 、 GCD5/ZCD5( 多用于 DDR2-533) 、GCD6/GCE6( 多用于 DDR2-667) 、GCF7/GCE7( 多用于 DDR2-800) 等;这些内存颗粒在超频方面同样有着不容小视的实力,且仍保持低延迟风格。不过经过编号更改后(由SAMSUNG 改为 SEC) ,默认时序参数已设定得较为保守,不过某些 DDR2-533 默认延迟仍设定在 4-4-4-10 上。通常情况下三星 DDR2-533 内存时序参数可以稳定在 3-3-3-4 上,优势明显,这也是为什么三星颗粒品质较好的一个原因。和GCD5 颗粒大都具备在 5-5-5-1 5参数下超频至DDR2-80 0以上水平。使用三星ZCD 5 颗粒的 DDR2-533 内存在不加电压超频情况下,能够以 4-4-4-X 的时序稳定工作在 DDR2-667 模式,更具备挑战 DDR2-900 的实力,且售价也较高,三星原厂条多选用这种颗粒。三星 DDR2 内存颗粒的第一排编号通常由 K4 开头,代表 Memory DRAM 的意思第三位“T”代表内存为 DDR2 内存第四、第五位代表容量,其中 51代表 512MB 容量,如果为 56则是 256MB 容量, 1G为1GB 容量, 2G为2GB 容量第六、第七位代表位宽, 08:×8 位宽,如果是 04 则位宽为×4、06为×4Stack 、07为×8Stack 、08为×8、16 为×16 第八位代表逻辑 Bank ,其中“3”的逻辑 Bank 数量为 4Banks ,如果是 4则为 8Banks 第九位代表接口类型,一般为“Q”,表示接口类型工作电压为 SSTL 第十位代表颗粒版本,其中“B”代表的产品版本为 3rd Generation ,C为4th Generation ,DEFGH 依此类推、越新越好第十一位代表封装类型,其中“G”代表封装类型为 FBGA , 如果是 S 则为 FBGA(Small) 、Z为