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信息材料与器件复****答案
分章说一下。
第一章的外延那道题感觉大家对外延技术的分类不是很清楚。虽然把MOCVD、MBE、sputtering和SOI、SOS放一起不能算错,但是希望大家能系统地了解外延的分类方法,以免有混乱的感觉。而作图说明MOSFET的工艺流程,建议大家能画类似于梁老师课件上的剖面图,而不是流程框图,毕竟是考试重点。另外,CMOS的特点是既有P管又有N管,只画一种管子不能算是CMOS;在N阱中一般是PMOS,P阱中是NMOS;硅栅工艺的自对准(先刻栅再源漏掺杂),这些基本特点希望大家不要犯错误。这一道题以NMOS单管的流程为主,S工艺,可能与梁老师课件上有所不同,考虑到了B极接地点,所以有些复杂。仅供参考,希望通过对照能加深理解。以上课时课件为基本。另外单管工艺也考虑到管间的直接连接所以有一步是刻接触孔,不考虑这一点,步骤可以进一步简化。
第一章其他的题目以及第二章所有题目,课件上有,或者需要查阅资料,大家完成的都很好,就不多赘述。
第三章的第一道题,关于光纤损耗,综合大家的作业和我找的一些资料,对应各种损耗写了一些减小的方法,主要希望大家能进一步了解损耗的组成,有兴趣的同学可以看一下。第二道EDFA是考试重点之一,我word文档里的答案是直接从课件中贴出来的,大家看课件就可以了,最好会画那两幅图。第三道题略。
第四章只整理了那道加速度传感器的题目。一共找了四种基本类型,ppt比较粗糙,大家主要看一下结构和基本原理就可以,有兴趣的话可以看一下测量原理和精确度的计算,当然也不是每个类型都提到了测量原理和精确度。。。整理时只是从传感器的原理出发,至于是否采用微机电系统以及一些新型传感器(如光纤振动传感器)没有涉及。
答案的主要参考是大家的和往届学长的作业,冯则坤老师、尹盛老师和陈实老师的课件,网上的一些资源和图书馆的电子文献。欢迎大家给出意见和建议。
以上。
PS:考试题型和所占分数已经确定:
名词解释:5'×5
简答: 10'×6
论述: 15'×1
王莹

微电子芯片材料与器件
衬底材料,栅结构材料,互联材料,在各个发展阶段典型材料及其性能特征
三种主要的外延生长技术:化学气相沉积(MOCVD),分子束外延(MBE)和等离子溅射(sputtering)
三种封装:球形矩阵封装(BGA),系统级封装(SIP),3D封装
光学曝光和非光学曝光技术的种类,各自的特点
等离子刻蚀,溅射刻蚀,反应离子刻蚀
扩散掺杂与离子注入掺杂
衬底材料,栅结构材料,互联材料,在各个发展阶段典型材料及其性能特征
衬底材料:
半导体材料 semiconductor :Si、Ge、Se、GaAs、InP、GaN、SiC等
Si、Ge(第一代); GaAs InP (第二代)高频; GaN、AlN、InN、SiC(第三代)高温高功率; C(金刚石),InAs等新型半导体材料。
单晶制备:SOI(绝缘衬底上的硅):实现介质隔离,寄生电容小、集成度高和工作速度快,适合低压低功耗电路。 GaN:高热和化学稳定性,高热导率,用于制备高温高频器件。 Si/GeSi合金:制备新材料新器件(如:异质结晶体管)。
栅结构材料
栅绝缘介质层:传统栅绝缘介质材料: SiO2 。在