半导体技术的发展.pptx

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电学部唐跃强
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主要内容
一、半导体技术的的发展
二、半导体技术的的热点
三、探讨的问题
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半导体领域广义的的说是与半导体有有关的领域,涉及及半导体材料、半半导体材料的制备备、半导体器件、半导导体器件的制造工工艺、半导体器件的应应用、半导体器件件的测量等等。其其分类号:H01L、H05K、、G06、H01S。
一、半导体技术的的发展
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半导体器件的零部部件例如有:将引线框框架、引线键合或或焊料凸点、安装装架、安装容器、、散热装置、密封封层、封装树脂层层等;
有机及无机材料半半导体器件;
半导体器件的制造造设备及工艺。
产品种类:
分立器件:二极管、晶体管管、晶闸管、太阳阳能电池、压电器器件、发光器件、、单电子器件等;;
集成电路(布图))例如有:集成的晶晶体管、MOS、、CMOS、DRAM、SRAM、ROM、EPROM、EEPROM、SOC等;
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二、半导体技术的的热点
1、纳米技术;
2、太阳能电池技技术(光电);
3、LED技术((OLED技术,,电光);
4、FinFET技术。
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2、太阳能电池技技术;
(1)单晶硅太阳阳能电池
目前单晶硅太阳能能电池的光电转换换效率为15%左左右,最高的达到到24%,单晶硅硅太阳能电池一般般采用钢化玻璃以以及防水树脂进行行封装,因此其坚坚固耐用,使用寿寿命一般可达15年,最高可达25年。
(2)多晶硅太阳阳能电池
多晶硅太阳电池的的制作工艺与单晶晶硅太阳电池差不不多,但是多晶硅硅太阳能电池的光光电转换效率则要要降低不少,其光光电转换效率约12%左右。
(3)非晶硅太阳阳能电池
非晶硅太阳电池是是1976年出现现的新型薄膜式太太阳电池,目前国国际先进水平为10%左右,且不不够稳定,随着时时间的延长,其转转换效率衰减。
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2、太阳能电池技技术
4)化合物半导体体太阳电池
a)硫化镉太阳阳能电池;
b)***化镓太阳阳能电池;
c)铜铟硒太阳阳能电池(新型多多元带隙梯度Cu(In,Ga)Se2薄膜太太阳能电池,光电电转化率为18%%)
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2、太阳能电池技技术
(5)染料敏化太太阳能电池
染料敏化太阳能电电池(DSC)主主要由纳米多孔半半导体薄膜、染料料敏化剂、氧化还还原电解质、对电电极和导电基底等等几部分组成。纳纳米多孔半导体薄薄膜通常为金属氧氧化物(TiO2、SnO2、ZnO等),聚集集在有透明导电膜膜的玻璃板上作为为DSC的负极。。对电极作为还原原催化剂,通常在在带有透明导电膜膜的玻璃上镀上铂铂。敏化染料吸附附在纳米多孔二氧氧化钛膜面上。正正负极间填充的是是含有氧化还原电电对的电解质,最最常用的是I3/I-。
DSC与传统的太太阳电池相比有以以下一些优势(附图FTO导电
a)寿命长:使用寿命可达15-20年;
b)结构简单、生产工艺简单,易于制造;
c)生产成本较低。
    1991年由瑞士洛桑联邦理工学院首次发表了染料敏化电池的原型,%~%。
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2、太阳能电池技技术;
从太阳能电池芯片片的结构的角度进进行分类,太阳能能电池专利技术可可以分为PN结、、PIN结、肖特特基结、异质结、、MIS结、超晶晶格能带结构和能能带渐变结构。
(1)PN结结构构:
PN结结构的最早早专利申请始于1965年。
(2)PIN结结结构,最早专利申申请始于1955年。
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2、太阳能电池技技术;
(3)异质结结构构:
最早专利申请始于于1956年
(4)肖特基结结结构:
专利申请始于1966年
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