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蒸发率可以表达为其中Pe为源的蒸汽压可以表达为.doc

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Pe
,此中,Pe为源的蒸汽压,可以表达为
vap
2mkT
P
Pexp(
H/RkT),
H为蒸发热,R0
为阿夫加德罗常数
e
0
0
()。对于铝,H=64000cal/mol。计算T=1350K时,
dRevp/dT
铝蒸发率对于温度的矫捷度S,即S。
Revp/T
2.(选做)硅片直径为D,搁置在高于小平面蒸发源正比,为束流与平面源法线方向的夹角(如图)

H的地址,假定蒸发流
。推导公式,用D和H

F与cos成来表达硅片中
心的淀积薄膜厚度与硅片边沿的膜厚之比。
内容总结
(1)()
(2)Revp/T

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