VLSI与电子器件教学资料：VLSI设计基础3.ppt

VLSI设计基础
第3章工艺与设计接口
(2013)
本章概要:
设计与工艺接口问题
工艺抽象
电学设计规则
几何设计规则
工艺检查与监控
基本问题
设计与仿真依据
工艺监控和提模手段
设计与工艺接口
2
设计与工艺接口问题
基本问题—工艺线选择
设计的困惑
设计与工艺接口
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3
基本问题—工艺线选择
一条成熟的工艺线,各项工艺参数都是一定的,不允许轻易变更,而这些参数往往就成为我们设计的制约因素。
因此,设计之初必须考虑:这条工艺线对我的设计是否合适。
.1
设计之初的重要问题:选择工艺和工艺线
4
设计的困惑
电参数:
应用萨方程
衬偏效应(γ系数)
上升、下降时间(负载电容)
迁移率比值
……
版图参数:
尺寸
间距
……
太多的不确定,工艺线能否提供这些参数?
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5
设计与工艺接口
工艺线提供电学设计和版图设计的规则,形成设计规则文件。
工艺线提供工艺加工质量的监测方法,形成PCM(Process Control Monitor)。
这些构成清晰地接口:设计与工艺接口。这个接口同时也成为了设计与工艺的共同制约,成为设计与工艺双方必须共同遵守的规范。
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6
工艺抽象
工艺对设计的制约、工艺抽象的意义
工艺抽象
对材料参数的抽象
对加工能力的抽象
得到以电学参数和几何参数描述的工艺数据,设计者不再看到诸如掺杂浓度、结深、氧化层厚度等工艺技术范畴的专业术语。
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7
工艺对设计的制约
最小加工尺寸对设计的制约(特征尺寸与最大面积)
电学参数对设计的制约
标准工艺流程对特殊工艺要求的制约
工艺参数→设计参数(电参数、几何参数)
.2
8
工艺抽象
掺杂浓度以薄层电阻RS描述:
.2
掺杂浓度
掺杂深度
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工艺抽象
氧化层(绝缘层)厚度以单位面积电容C0描述:
.2
氧化层
掺杂层
导电层
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