0.35um mix mode工艺开发的中期报告.docx

该【0.35um mix mode工艺开发的中期报告 】是由【niuww】上传分享，文档一共【2】页，该文档可以免费在线阅读，需要了解更多关于【0.35um mix mode工艺开发的中期报告 】的内容，可以使用淘豆网的站内搜索功能，选择自己适合的文档，以下文字是截取该文章内的部分文字，如需要获得完整电子版，请下载此文档到您的设备，方便您编辑和打印。:。在此向评审专家汇报中期进展情况。一、工艺流程我们采用了以下的工艺流程::使用P型硅衬底,厚度为550um。:使用SC-1、SC-2、HF进行表面清洗和去除氧化层,然后使用光刻机制作光刻胶图案。:使用ICPRIE进行DryEtching处理,将光刻胶图案转移至硅衬底上。(CVD):沉积氧化硅层,用作gateinsulation。:再次使用光刻机制作光刻胶图案,将源沟、漏沟以及channel进行刻蚀。(sputtering):在刻蚀后的硅衬底上镀上金属源/漏极。(CVD):沉积二氧化硅层来保护金属。:使用光刻胶溶剂将光刻胶图案清除。:进行退火和钝化。二、中期进展目前,我们已经完成了硅衬底上的金属源/漏极和gate的制备。我们使用SEM对制备的gates进行了检测,所得到的图像表明gates具有良好的形态,其宽度为350nm。我们还使用AFM对gateinsulation进行了检测,所得到的图像表明沉积的氧化层均匀且质量良好。三、下步计划下一步,我们将进行源沟、漏沟以及channel区域的制备,并通过退火和钝化处理来进一步完善器件结构。我们还计划对制备的器件进行电学性能测试,以评估我们所开发的工艺流程的性能。感谢评审专家的关注,我们将继续努力推进工艺的开发工作。