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该【GaN外延薄膜点缺陷与材料电学光学性质关系研究的中期报告 】是由【niuww】上传分享，文档一共【1】页，该文档可以免费在线阅读，需要了解更多关于【GaN外延薄膜点缺陷与材料电学光学性质关系研究的中期报告 】的内容，可以使用淘豆网的站内搜索功能，选择自己适合的文档，以下文字是截取该文章内的部分文字，如需要获得完整电子版，请下载此文档到您的设备，方便您编辑和打印。GaN外延薄膜点缺陷与材料电学光学性质关系研究的中期报告该研究旨在探究GaN外延薄膜中点缺陷对材料电学光学性质的影响。研究采用了室温分子束外延法生长GaN薄膜,并分别在GaN样品表面进行了AFM,PL和TEM测试。根据测试结果,固体维普(Solid-State-Wikipedia,SSW)模型被用于计算材料中的点缺陷密度,以及缺陷密度与电性能和光学性能参数之间的相关性。初步的结果表明,在GaN薄膜中存在着大量的点缺陷,包括位错、点缺陷和气泡等。这些点缺陷的密度随着生长条件的改变而变化。例如,增加氮流量可降低点缺陷密度,而降低GaN生长温度则会引起更多的点缺陷产生。进一步的结果显示,点缺陷密度与GaN材料的电学和光学性能密切相关。较高的点缺陷密度会导致GaN材料的载流子浓度下降、导电性能减弱和光致发光强度降低。这些相关性可用于优化GaN外延薄膜的生长条件,从而提高材料的性能。未来的研究将进一步探索材料中点缺陷密度与其他性能参数之间的关系,以及如何通过优化外延生长条件来降低点缺陷的密度,最终实现GaN材料的优化。
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