下载此文档

MOSFET短沟道效应的新二维模型的中期报告.docx

文档分类：论文 | 页数：约1页举报非法文档有奖

1/1

下载提示

1.该资料是网友上传的，本站提供全文预览，预览什么样，下载就什么样。
2.下载该文档所得收入归上传者、原创者。
3.下载的文档，不会出现我们的网址水印。

同意并开始全文预览

(约 1-6 秒)

1/1 下载此文档

文档列表 文档介绍

该【MOSFET短沟道效应的新二维模型的中期报告】是由【niuww】上传分享，文档一共【1】页，该文档可以免费在线阅读，需要了解更多关于【MOSFET短沟道效应的新二维模型的中期报告】的内容，可以使用淘豆网的站内搜索功能，选择自己适合的文档，以下文字是截取该文章内的部分文字，如需要获得完整电子版，请下载此文档到您的设备，方便您编辑和打印。MOSFET短沟道效应的新二维模型的中期报告本研究旨在发展新的二维短沟道MOSFET模型,以更准确地描述其电学特性。在中期报告中,我们完成了以下工作:,包括漏电流、臂长度调制和亚阈值斜率等方面的特性。该模型的基本思想是考虑沟道上特定位置的电场和掺杂浓度差异对沟道电流的影响,并将这些参数通过两个协作的对称分段函数进行了建模。,并分析了不同沟道长度对电流和电容的影响。我们发现,在较短的沟道长度范围内,电晕控制效应对电容的影响比空间电荷控制效应更突出。,使用SILVACOTCAD软件进行了模拟实验,比较模型结果和实验数据,并评估模型的可靠性和准确性。结果表明,新模型的预测结果与实验数据吻合度较高,证明了其准确性和适用性。在接下来的工作中,我们将进一步实现模型优化,包括考虑更多影响因素、开发新的物理方程和优化参数等,以提高该模型的适用性和准确性。同时,我们也将继续进行模拟实验和比较分析,以验证模型的可靠性。

MOSFET短沟道效应的新二维模型的中期报告来自淘豆网www.taodocs.com转载请标明出处.