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该【ⅡⅥ族纳米结构半导体的X射线吸收谱学研究的中期报告 】是由【niuwk】上传分享，文档一共【1】页，该文档可以免费在线阅读，需要了解更多关于【ⅡⅥ族纳米结构半导体的X射线吸收谱学研究的中期报告 】的内容，可以使用淘豆网的站内搜索功能，选择自己适合的文档，以下文字是截取该文章内的部分文字，如需要获得完整电子版，请下载此文档到您的设备，方便您编辑和打印。ⅡⅥ族纳米结构半导体的X射线吸收谱学研究的中期报告本研究旨在探究ⅡⅥ族纳米结构半导体的X射线吸收谱学特征及其对其物理和化学性质的影响。本报告是研究的中期报告,总结了研究进展及初步结果。首先,我们成功地合成出不同粒径的CdS和ZnS纳米晶体,并对其进行了表征。使用TEM观察到了粒径大小约为3-8nm的纳米晶体,并测量了它们的粒径分布。同时,利用X射线衍射技术研究了它们的组成成分及其结构、晶格缺陷情况等。接着,我们对不同粒径的CdS和ZnS纳米晶体进行了X射线吸收谱学研究。通过比较不同粒径的纳米晶体的吸收谱线形,我们发现在较大粒径的纳米晶体中,主要是因为含有较多的缺陷态能级而导致吸收波长发生了红移。而在较小粒径的纳米晶体中,主要是受表面效应的影响,吸收发生了蓝移。最后,我们探讨了不同粒径的纳米晶体的物理和化学性质。发现较大粒径的纳米晶体具有比较好的光稳定性,而较小粒径的纳米晶体则具有更高的光敏性能。总的来说,本研究初步揭示了ⅡⅥ族纳米结构半导体的X射线吸收谱学特征及其对其物理和化学性质的影响,为进一步研究半导体材料提供了理论基础和实验依据。
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