局域表面等离子体增强的氮化硅器件电致发光性能研究的中期报告.docx

该【局域表面等离子体增强的氮化硅器件电致发光性能研究的中期报告 】是由【niuww】上传分享，文档一共【2】页，该文档可以免费在线阅读，需要了解更多关于【局域表面等离子体增强的氮化硅器件电致发光性能研究的中期报告 】的内容，可以使用淘豆网的站内搜索功能，选择自己适合的文档，以下文字是截取该文章内的部分文字，如需要获得完整电子版，请下载此文档到您的设备，方便您编辑和打印。局域表面等离子体增强的氮化硅器件电致发光性能研究的中期报告本研究旨在通过在氮化硅器件表面引入表面等离子体(SEPs)来增强其电致发光(EL)性能。本报告介绍了我们在中期阶段所完成的工作,包括样品制备、表征和EL测试等方面。(p-SiNx)薄膜作为器件底层,并在其表面沉积了一层n型氮化硅(n-SiNx)薄膜作为SEPs的形成基底。接着,我们使用射频反向磁控溅射在n-SiNx层上沉积一层银(Ag)薄膜作为SEP的引入材料。最后,我们在样品表面使用大气压等离子体处理实现SEPs的形成。(SEM)和原子力显微镜(AFM)对样品表面进行了形貌学表征,并观察到引入Ag薄膜和等离子体处理后,样品表面形貌发生了明显变化。我们还使用X射线光电子能谱(XPS)分析样品表面的化学组成,并发现引入Ag薄膜后,样品表面Ag元素的含量明显增加。(Al2O3)作为电子注入层,并在EL测试中加入直流偏压进行器件驱动。通过对带有和无SEPs的器件进行EL测试,我们观察到引入SEPs后,器件的电致发光强度得到了明显提升,显示出SEPs具有很好的发光增强效应。总结:在中期阶段,我们成功制备了氮化硅器件表面引入SEPs的样品,并对其进行了形貌学和化学组成的表征,同时通过EL测试观察到了SEPs对器件发光性能的显著增强效应。下一步我们将进一步优化样品制备工艺,并研究SEPs对器件发光机制的影响。