新型TaOx阻变存储器件制备与研究的中期报告.docx

该【新型TaOx阻变存储器件制备与研究的中期报告 】是由【niuwk】上传分享，文档一共【2】页，该文档可以免费在线阅读，需要了解更多关于【新型TaOx阻变存储器件制备与研究的中期报告 】的内容，可以使用淘豆网的站内搜索功能，选择自己适合的文档，以下文字是截取该文章内的部分文字，如需要获得完整电子版，请下载此文档到您的设备，方便您编辑和打印。新型TaOx阻变存储器件制备与研究的中期报告前言随着信息技术的不断发展,存储技术也在不断革新,越来越多的领域需要高速、高稳定性、大容量的存储设备。TaOx阻变存储器件是一种新型的非挥发性存储器器件,具有如下特点:高密度、高速度、长寿命、低功耗、易于制备等。因此,TaOx阻变存储器件被广泛应用于各种电子设备中,并成为了研究热点之一。本报告主要介绍了我们的研究团队在TaOx阻变存储器件制备与研究方面的中期进展情况,包括实验室中的制备方法、测试方法以及实验结果等。本报告旨在进一步促进TaOx阻变存储器件技术的发展,为电子设备领域的发展做出贡献。一、。具体方法如下:首先,在圆形玻璃基板上涂敷一层SiO2绝缘层,厚度为300nm;然后,将Ta靶片置于磁控溅射器中,以Ar气体作为惰性气体,调节放电功率、反应气体压力和溅射时间等参数,进行磁控溅射过程,得到TaOx薄膜;最后,通过光刻和化学蚀刻等工艺,将TaOx薄膜制成具有一定形状和大小的存储器件。。具体方法如下:首先,将制备好的TaOx阻变存储器件置于测试系统中,通电使器件达到非常规稳定状态;然后,采用不同的电信号作用在器件上,测量阻变存储器件的电学参数,例如电阻、导通能力、时间响应等。二、实验结果通过实验,我们获得了如下结果:,导通电流约为50A。,TaOx阻变存储器件可以在快速导通状态和缓慢漏电状态之间切换。,TaOx阻变存储器件的电子密度增加,导致电子在TaOx薄膜内的导电性增强;反之,在负向电压作用下,TaOx阻变存储器件的电子密度减小,导致电子在TaOx薄膜内的导电性减小。三、结论通过实验,我们发现TaOx阻变存储器件在制备和测试方面有很大的优势,具有较高的稳定性和可靠性。实验结果表明,TaOx阻变存储器件在未来的电子设备领域中具有广泛的应用前景,值得我们深入研究和探索。