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晶闸管的结构
晶闸管是在半导体二极管、三极管之后出现的一种新型的大功率半导体器件,它是一种可控制的硅整流元件,亦称可控硅。其外形、结构及图形符号如图所示,它有三个电极,即阳极A,阴极K,控制极(又称门极)G。根据功率的大小,具有TO92、TO220、螺栓形和平板形等多种封装形式,如图(a)所示。螺栓形带有螺栓的那一端是阳极A,它可与散热器固定,另一端的粗引线是阴极K,细线是控制极G ,这种结构更换方便,用于100A以下元件。平板形中间的金属环是控制极G ,离控制极远的一面是阳极A,近的一面是阴极K,这种结构散热效果比较好,用于200A以上的元件。
晶闸管是由四层半导体构成的,如图(b)所示。它由单晶硅薄片P1、N1、P2、N2四层半导体材料叠成,形成三个PN结。晶闸管的图形符号如图(c)所示。
图 晶闸管外形、结构及图形符号
(a)外形封装 (b)内部结构 (
c)图形符号
晶闸管是在半导体二极管、三极管之后出现的一种新型的大功率半导体器件,它是一种可控制的硅整流元件,亦称可控硅。其外形、结构及图形符号如图所示,它有三个电极,即阳极A,阴极K,控制极(又称门极)G。根据功率的大小,具有TO92、TO220、螺栓形和平板形等多种封装形式,如图(a)所示。螺栓形带有螺栓的那一端是阳极A,它可与散热器固定,另一端的粗引线是阴极K,细线是控制极G ,这种结构更换方便,用于100A以下元件。平板形中间的金属环是控制极G ,离控制极远的一面是阳极A,近的一面是阴极K,这种结构散热效果比较好,用于200A以上的元件。
晶闸管是由四层半导体构成的,如图(b)所示。它由单晶硅薄片P1、N1、P2、N2四层半导体材料叠成,形成三个PN结。晶闸管的图形符号如图(c)所示。
图 晶闸管外形、结构及图形符号
(a)外形封装 (b)内部结构 (
c)图形符号
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