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一、选择题(每小题2分,共60分。每小题中只有一个选项是正确的,请将正确答案涂在答题卡上)
( )
A、UB>UC,UB>UE B、UE> UC ,UC >UB
C、UC >UB > UE D、UE>UB>UC
,测得其发射结正偏,集电结反偏,此时该三极管处于(      )。
A. 放大状态        B. 截止状态        C. 饱和状态          D. 无法确定
( )
A、滤除脉动电流中的交流成分 B、将交变电流变成单相脉动电流
C、改变输出电压 D、限制输出电压幅度
,除了将晶体管基区做得很薄,且掺杂浓度很低之外 ,工艺上还要采取如下措施:(       )
A. 发射区掺杂浓度高,集电结面积小   
B. 发射区掺杂浓度高,集电结面积大
C. 发射区掺杂浓度低,集电结面积小     
D. 发射区掺杂浓度低,集电结面积大
5、若IB1=20uA,IC1=1mA;IB2=40uA,IC2=,则三极管的β值是(       )
A、50 B、 C、55 D、
=,UC=-3V,UE=,则三极管处于
A、导通 B、截止 C、放大 D、饱和
(       )
A、放大 B、截止 C、饱和 D、导通
,静态点的调整元件是(       )
A、RB B、RC C、VCC D、RE
9、NPN三极管基极与发射极短接则三极管(       )
A、发射结正偏 B、集电结正偏 C、截止 D、饱和
10、本征半导体又叫( )。
A、普通半导体 B、P型半导体 C、掺杂半导体 D、纯净半导体
11、半导体受光照后,其导电能力会( )。
A、增加 B、减弱 C、不变 D、丧失
12、锗二极管的门坎电压为( )
A、 B、 C、1V D、
13、二极管两端的反向偏置电压增高时,在达到( )电压以前,通过电流很小。
击穿 B、最大 C、短路 D、死区
14、半导体二极管导通的必要且充分条件是( )
A、加正偏电压 B、加反偏电压
C、加大于死区电压的正向偏压 D、加小于死区电压的正向偏压
15、在有电容滤波的单相半波整流电路中,若要使输出电压为60V,则变压器的次级电压应为( )
A、50V B、60V C、72V D、27V
16、已知Ai=1000,则Gi=( )。
30dB B、60 dB C、40 dB D、60
17、若放大器的输出信号既发生饱和失真,又发生截止失真,则原因是( )
静态工作点太高 B、静态工作点太低 C、输入信号幅度过大 D、输入信号幅度过小
18、放大器的输出电阻ro越小,则( )。
A、带负载能力越强 B、带负载能力越弱 C、放大倍数越低 D、通频带越宽
19、放大器设置合适的静态工作点,以保证晶体管放大信号时,始终工作在( )
A、饱和区 B、截止区 C、放大区 D、击穿区
20. 下列符号中表示发光二极管的为( )。
21. 硅管正偏导通时,其管压降约为( )。
A B C D
22. 用模拟指针式万用表的电阻档测量二极管正向电阻,所测电阻是二极管的电阻,由于不同量程时通过二极管的电流,所测得正向电阻阻值。
A. 直流,相同,相同 B. 交流,相同,相同
C. 直流,不同,不同 D. 交流,不同,不同
23 放大电路如图所示,已知三极管的,则该电路中三极管的工作状态为( )。
A. 截止 B. 饱和 C. 放大 D. 无法确定
24. 硅三极管放大电路中,静态时测得集-射极之间直流电压UCE=,则此时三极管工作于( ) 状态。
A. 饱和 B. 截止 C. 放大 D. 无法确定
25. 某三极管的,则下列状态下三极管能正常工作的是( )。
A. B.
C. D.
:( )

,三极管工作在放大区,如果将Rc增大,此时三极管为放大状态,则集电极电流Ic将:( )

、共集和共基三种基本放大电路组态中,电压放大倍数小于1的是( )组态。
A. 共射 B. 共集 C. 共基 D. 不定
,则回路中的电流为(