电工学2每章检测题习题解析..doc

第6章检测题(共100分,120分钟)
一、填空题:(,共25分)
1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为自由电子,少数载流子为空穴,不能移动的杂质离子带正电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为空穴,少数载流子为自由电子,不能移动的杂质离子带负电。
2、三极管的内部结构是由基区、发射区、集电区及发射结和集电结组成的。三极管对外引出电极分别是基极、发射极和集电极。
3、PN结正向偏置时,外电场的方向与内电场的方向相反,有利于多数载流子的
扩散运动而不利于少子的漂移;PN结反向偏置时,外电场的方向与内电场的方向相同,有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散,这种情况下的电流称为反向饱和电流。
4、PN结形成的过程中,P型半导体中的多数载流子空穴向 N 区进行扩散,N型半导体中的多数载流子自由电子向 P 区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区,其方向由 N 区指向 P 区。空间电荷区的建立,对多数载流子的扩散运动起削弱作用,对少子的漂移运动起增强作用,当这两种运动达到动态平衡时, PN结形成。
5、检测二极管极性时,需用万用表欧姆挡的 R×1K 档位,当检测时表针偏转度较大时,则红表棒接触的电极是二极管的阴极;黑表棒接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时,两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时,说明二极管已经被击穿损坏;两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时,说明该二极管已经绝缘老化不通。
6、单极型晶体管又称为 MOS 管。其导电沟道分有 N 沟道和 P 沟道。
7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管,正常工作应在特性曲线的反向击穿区。
8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空,务必将各电极短接。
二、判断正误:(每小题1分,共10分)
1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电,说明P型半导体呈负电性。(错)
2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。(错)
3、用万用表测试晶体管时,选择欧姆档R×10K档位。(错)
4、PN结正向偏置时,其内外电场方向一致。(错)
5、无论在任何情况下,三极管都具有电流放大能力。(错)
6、双极型晶体管是电流控件,单极型晶体管是电压控件。(对)
7、二极管只要工作在反向击穿区,一定会被击穿损坏。(错)
8、当三极管的集电极电流大于它的最大允许电流ICM时,该管必被击穿。(错)
9、双极型三极管和单极型三极管的导电机理相同。(错)
10、双极型三极管的集电极和发射极类型相同,因此可以互换使用。(错)
三、选择题:(每小题2分,共20分)
1、单极型半导体器件是(C)。
A、二极管; B、双极型三极管; C、场效应管; D、稳压管。
2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的(A)元素构成的。
A、三价; B、四价; C、五价; D、六价。
3、稳压二极管的正常工作状态是(C)。
A、导通状态; B、截止状态; C、反向击穿状态; D、任意状态。
4、用万用表检测某二极管时,发现其正、反电阻均约等于1KΩ,说明该二极管(C)。
A、已经击穿; B、完好状态; C、内部老化不通; D、无法判断。
5、PN结两端加正向电压时,其正向电流是(A)而成。
A、多子扩散; B、少子扩散; C、少子漂移; D、多子漂移。
6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE=,VB=,VC=,说明此三极管处在(A)。
A、放大区; B、饱和区; C、截止区; D、反向击穿区。
7、绝缘栅型场效应管的输入电流(C)。
A、较大; B、较小; C、为零; D、无法判断。
8、正弦电流经过二极管整流后的波形为(C)。
A、矩形方波; B、等腰三角波; C、正弦半波; D、仍为正弦波。
9、三极管超过(C)所示极限参数时,必定被损坏。
A、集电极最大允许电流ICM; B、集—射极间反向击穿电压U(BR)CEO;
C、集电极最大允许耗散功率PCM; D、管子的电流放大倍数。
10、若使三极管具有电流放大能力,必须满足的外部条件是(C)
A、发射结正偏、集电结正偏; B、发射结反偏、集电结反偏;
C、发射结正偏、集电结反偏; D、发射结反偏、集电结正偏。
四、简述题:(每小题4分,共28分)
1、N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子,P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子,因此说N型半导体带负电,P型半导体带正电。上述说法对吗?为什么?
答:这种说法是错误的。因为,晶体在掺入杂质后,只是共价键上多出了电子或少了电子,从而获得了N型半导体或P型半导体,但整块晶