电子技术模电复习.doc

《模电》第一章重点掌握内容:
概念
半导体:导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。
半导体奇妙特性:热敏性、光敏性、掺杂性。
本征半导体:完全纯净的、结构完整的、晶格状的半导体。
本征激发:环境温度变化或光照产生本征激发,形成电子和空穴,电子带负电,空穴带正电。它们在外电场作用下均能移动而形成电流,所以称载流子。
P型半导体:在纯净半导体中掺入三价杂质元素,便形成P型半导体,使导电能力大大加强,此类半导体,空穴为多数载流子(称多子)而电子为少子。
N型半导体:在纯净半导体中掺入五价杂质元素,便形成N型半导体,使导电能力大大加强,此类半导体,电子为多子、而空穴为少子。
PN结具有单向导电性:P接正、N接负时(称正偏),PN结正向导通,P接负、N接正时(称反偏),PN结反向截止。所以正向电流主要由多子的扩散运动形成的,而反向电流主要由少子的漂移运动形成的。
二极管按材料分有硅管(Si管)和锗管(Ge管),按功能分有普通管,开关管、整流管、稳压管等。
二极管由一个PN结组成,所以二极管也具有单向导电性:正偏时导通,呈小电阻,大电流,反偏
时截止,呈大电阻,零电流。其死区电压:Si管约0。5V,Ge管约为0。1 V ,
其死区电压:S,Ge管 V 。
其导通压降:S,Ge管 V 。这两组数也是判材料的依据。
10、稳压管是工作在反向击穿状态的:
①加正向电压时,相当正向导通的二极管。(,)
②加反向电压时截止,相当断开。
③加反向电压并击穿(即满足U﹥UZ)时便稳压为UZ 。
11、二极管主要用途:整流、限幅、继流、检波、开关、隔离(门电路)等。
二、应用举例:(判二极管是导通或截止、并求有关图中的输出电压U0 。三极管复****完第二章再判)
参考答案:a、因阳极电位比阴极高,即二极管正偏导通。是硅管。b 、二极管反偏截止。 f 、因V的阳极电位比阴极电位高,所以二极管正偏导通,(将二极管短路)使输出电压为U0=3V 。G、因V1正向电压为10V,V2正向电压13V,使V2 先导通,(将V2短路)使输出电压U
0=3V,而使V1反偏截止。h 、同理,因V1正向电压10V、V2正向电压为7V,所以V1先导通(将V1短路),输出电压U0=0V,使V2反偏截止。(当输入同时为0V或同时为3V,输出为多少,请同学自行分析。)
1、
《模电》第二章重点掌握内容:
一、概念
三极管由两个PN结组成。从结构看有三个区、两个结、三个极。(参考P40)
三个区:发射区——掺杂浓度很高,其作用是向基区发射电子。
基区——掺杂浓度很低,其作用是控制发射区发射的电子。
集电区——掺杂浓度较高,但面积最大,其作用是收集发射区发射的电子。
两个结:集电区——基区形成的PN结。叫集电结。(JC)
基区——发射区形成的PN结。叫发射结。(Je)
三个极:从三个区引出的三个电极分别叫基极B、发射极E和集电极C(或用a、b、c)
对应的三个电流分别称基极电流IB、发射极电流IE、集电极电流IC 。并有:IE =IB+ IC
三极管也有硅管和锗管,型号有NPN型和PNP型。(参考图A。注意电路符号的区别。可用二极管等效来分析。)
三极管的输入电压电流用UBE 、IB表示,输出电压电流用UCE 、IC表示。
即基极发射极间的电压为输入电压UBE,集电极发射间的电压为输出电压UCE。(参考图B)
=IC / IB (或IC=β IB)和开关作用.
4、三极管的输入特性(指输入电压电流的关系特性)与二极管正向特性很相似,也有:
死区电压:, 。
导通压降: , 。(这两组数也是判材料的依据)
5、三极管的输出特性(指输出电压UCE与输出电流IC的关系特性)有三个区:
①饱和区: 特点是UCE﹤,无放大作用,C-, Je都正偏.
②截止区: 特点是UBE ≦0, IB=0, IC=0,无放大. C-E间相当断开..其偏置条件JC, Je都反偏.
③放大区: 特点是UBE大于死区电压, UCE﹥1V, IC=β IB. 其偏置条件Je正偏JC反偏.
所以三极管有三种工作状态,即饱和状态,截止状态和放大状态,作放大用时应工作在放大状态,作开关用时应工作在截止和饱和状态.
6、当输入信号Ii 很微弱时,三极管可用H参数模型代替(也叫微变电路等效电路)(参考图B)
7、对放大电路的分析有估算法和图解法
估算法是:⑴先画出直流通路(方法是将电容开路