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蒸发率可以表达为,其中,Pe为源的蒸汽压,可以表达为,.doc

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蒸发率可以表达为,其中,Pe为源的蒸汽压,可以表达为,DH为蒸发热,R0为阿夫加德罗常数()。对于铝,DH=64000cal/mol。计算T=1350°K时,铝蒸发率对于温度的灵敏度S,即。
(选做)硅片直径为D,放置在高于小平面蒸发源H的位置,假定蒸发流F与cosq成正比,q为束流与平面源法线方向的夹角(如图)。推导公式,用D和H来表达硅片中心的淀积薄膜厚度与硅片边缘的膜厚之比。

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