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第2章半导体二极管及其电路
武汉理工大学
信息工程学院
电子技术基础课程组
半导体二极管
将PN结用外壳封装起来,并加上电极引线就构成了半导体二极管,简称二极管
P
N
P
N
符号
阳极
阴极
电子技术基础精品课程——模拟电子技术基础
半导体二极管的类型
按半导体材料分:有硅二极管、锗二极管等。
按 PN 结结构分:有点接触型和面接触型二极管。
……点接触型二极管因其结面积小,不能承受较大的电流和反向电压,但其结电容较小,一般在1PF以下,工作频率高,可达100MHZ以上,因此适应于高频电路和小功率整流电路,也适应于开关电路。
……面接触型二极管其结面积大,能够通过较大的电流,但其结电容大,因而只能在较低频率下工作,一般用于工频大电流整流电路。
按用途分:有整流二极管、检波二极管、稳压二极管、开关二极管、发光二极管、变容二极管等。
半导体二极管
电子技术基础精品课程——模拟电子技术基础
图1 半导体二极管的结构和符号
(a)点接触型(b)面接触型(c)集成电路中的平面型(d)代表符号
半导体二极管
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几种常见的二极管外形
半导体二极管
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二极管的伏安特性
vD
iD
导通压降:
~,
~。
反向击穿电压U(BR)
,。
反向漏电流Is
(很小,A级)
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二极管主要参数
为描述二极管的性能,常引用如下几个主要参数:
— 1. 最大整流电流IF
IF是指二极管长期运行时允许通过的最大正向平均电流。其值与PN结面积以及外部散热条件有关。在规定的散热条件下,二极管正向平均电流若超过此值,则将因结温升高而烧坏。
— 2. 反向击穿电压VBR和最高反向工作电压VRM
VBR是指二极管反向击穿时的电压值。二极管反向击穿时,反向电流剧增,二极管的单向导电性被破坏,甚至因过热而烧坏。
VRM 是指二极管工作时允许外加的最大反向电压。超过此值时,二极管有可能因反向击穿而损坏,其值通常为反向击穿电压的一半。
— 3. 反向电流IR
IR是指二极管未被击穿时的反向电流。其值愈小,二极管的单向导电性愈好,但其对温度非常敏感,使用二极管时,要注意温度的影响。
— 4. 最高工作频率fM
fM是二极管工作的上限截止频率。其值主要取决于 PN 结结电容的大小。结电容愈大,二极管允许的最高工作频率愈低。超过此值时,由于结电容的作用,二极管将不能很好的体现单向导电性。
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