场效应晶体管全面解析.ppt

线性电子电路
第三章场效应管
主要内容
概述
场效应管的工作原理
场效应管特性曲线
场效应管的使用注意事项
场效应管的等效电路
场效应管电路的分析方法
第三章场效应管
概述
场效应管是一种利用电场效应来控制电流的半导体器件,也是一种具有正向受控作用的半导体器件。它体积小、工艺简单,器件特性便于控制,是目前制造大规模集成电路的主要有源器件。
场效应管与三极管主要区别:
场效应管输入电阻远大于三极管输入电阻。
场效应管是单极型器件(三极管是双极型器件)。
场效应管受温度的影响小(只有多子漂移运动形成电流)
一、场效应管的种类
第三章场效应管
按结构不同分为
绝缘栅型场效应管MOSFET
结型场效应管JFET
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
MOSFET
(按工作方式不同)
耗尽型(DMOS)
增强型(EMOS)
沟道:指载流子流通的渠道、路径。N沟道是指以N型材料构成的区域作为载流子流通的路径;P沟道指以P型材料构成的区域作为载流子流通的路径。
第三章场效应管
二、场效应管的结构示意图及其电路符号
JFET结构示意图及电路符号
S
G
D
S
G
D
P
+
P
+
N
G
S
D
N沟道JFET
P沟道JFET
N
+
N
+
P
G
S
D
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耗尽型场管的结构示意图及其电路符号
第三章场效应管
S
G
U
D
ID
S
G
U
D
ID
P
P
+
N
+
S
G
D
U
N
+
N沟道DMOS
N
N
+
P
+
S
G
D
U
P
+
P沟道DMOS
DMOS管结构
VGS=0时,导电沟道已存在
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总结:
第三章场效应管
场效应管的电路符号可知:无论是JFET或是MOSFET,它都有三个电极:栅极G、源极S、漏极D。它们与三极管的三个电极一一对应(其实它们之间的对应关系除了电极有对应关系外,由它们构成的电路的特性也有对应关系,这些我们在第四再给大家讲) :
G---B S---E D----C
N沟道管子箭头是指向沟道的,而P沟道管子的箭头是背离沟道的。
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场效应管的工作原理
第三章场效应管
JFET与MOSFET工作原理相似,它们都是利用电场效应来控制电流,即都是利用改变栅源电压vGS,来改变导电沟道的宽度和高度,从而改变沟道电阻,最终达到对漏极电流iD 的控制作用。不同之处仅在于导电沟道形成的原理不同。(下面我们以N沟道JFET、N沟道增强型为例进行分析)
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