硅材料选择题精选...doc

1硅单质是_A__。
A半导体 B导体 C绝缘体。
2只涉及到大约一个原子大小范围的晶格缺陷是__C__。
A线缺陷 B面缺陷 C点缺陷 D体缺陷
3 下列是晶体的是__B__。
A玻璃 B硅 C松香 D塑料
4晶体的生长方式在人工制备中用的比较少的是__A__。
A固相生长 B液相生长 C气相生长
5在我国通常称为工业硅或冶金级硅含量在__D___以上。
A90% B92% C95% D97%
6对于铸造多晶硅氧浓度越__,钝化效果越__,少数载流子寿命增加越__A.
A低,好,多 B 低,好,少 C低,差,多 D高,好,多
7在工业生产中广泛用的是___C___。
A化学清洗 Brca清洗 C超声波清洗
.
①多晶硅②单晶硅③外延片④非晶硅
A.①②④ B.①②③④ C.②③④ D.③④
。
→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包
→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包
→整形→切片→蚀刻→晶片研磨及磨边→抛光→硅片检测→打包
→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包
。
,使热场的径向温度梯度增大
,例如对于凸向熔体的界面加快拉速,增加其凝固速度增加利用结晶潜热使界面趋于平坦
,调整高温液流的增减

如何从石英砂制取硅?说明从石英到单晶硅的工艺的简要框图正确的是( )
加料—→熔化—→缩颈生长—→放肩生长—→等径生长—→尾部生长
加料—→熔化—→缩颈生长—→放肩生长—→尾部生长—→等径生长
加料—→缩颈生长—→熔化—→放肩生长—→尾部生长—→等径生长
加料—→放肩生长—→缩颈生长—→熔化—→尾部生长—→等径生长
多晶硅的生产方法主要包含:( )
1、SiCl4法 2、硅烷法 3、流化床法 4、西门子改良法 5 、冶金法 6、气液沉淀法 7、重掺硅废料提纯法
A、1234 B、123 C、1456 D、4567
3、直拉法生长单晶硅拉晶过程有几个主要阶段?( )
A、3 B、5 C、4 D、2
4、正确的框图简要说明硅片制备主要工艺流程是( )
单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包
单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包
单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包
单晶生长→整形→蚀刻→抛光→硅片检测→切片→晶片研磨及磨边→打包
5、那个不是影响直拉单晶硅的电阻率均匀性的因素( )
A、分凝 B、蒸发 C、坩埚污染 D、损坏
6、属于晶体缺陷中面缺陷的是( )
位错 B、螺旋位错 C、肖特基缺陷 D、层错
7、半导体材料的电阻率与载流子浓度有关,同样的掺杂浓度,载流子的迁移率越大,材料的电阻率( )
A、越高 B、不确定 C 、越低 D、不变
8、用能量( )禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。
A 、低于 B 、等于或大于 C 、大于 D 、小于或等于
9、,则(111)的面间距是多少?( )
B 、 C 、 D、
10、简述光生伏特效应中正确的是( )
A、用能量小于禁带宽度的光子照射p-n结;
B、p、n区都产生电子—空穴对,产生平衡载流子;
C、平衡载流子破坏原来的热平衡;
D、非平衡载流子在内建电场作用下,n区空穴向p区扩散,p区电子向n区扩散;若p-n结开路,在结的两边积累电子—空穴对,产生开路电压。
答案 A A B A D DC B C D
1、属于晶体缺陷中面缺陷的是(B)
A位错 B层错 C肖特基缺陷 D螺旋位错
2、,则(111)的面间距是多少?(A)
A B C D
3、用能量(B)禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。
A 低于 B 等于或大于 C 大于 D 小于或等于
4、下列选项中,对从石英到单晶硅的工艺流程是(D)
A加料—→缩颈生长—→熔化—→放肩生长—→等径生长—→尾部生长
B加料—→熔化—→缩颈生长—→等径生长—→放肩生长—→尾部生长
C加料—→熔化—→等径生长—→放肩生长—→缩颈生长—→尾部生长
D加料—→熔化—→缩颈生长—→放肩生长—→等径生长—→尾部生长
5、