电致伸缩材料(精选).pdf

《中外技术情报》年第期
短
豁透明陶瓷及其
目因目目团
本文介绍一种以载化忆和氧化钦为基础原料的透氧则更佳。
明陶瓷及其制造方法该陶瓷对波长为一时铂的实施例用含浸法调制含氧化忆和氧化钦的组
光透过率高于对”波长的光透过率大成物, 即取粉碎、干燥的氧化忆与乙醇相混
,
于肠陶瓷密度可达到理论密度的肠以上可用合, 添加相当于的正四***钦盐。, 混合
于制作卤钨灯管及激光用红外线光栅等物用枯质球磨以转速粉碎然后, 加
本陶瓷的墓本原料为载化忆和至少一种氧化钦造燕馏水, 再继续以相同转速粉碎。在减压条
, 、
坯可直接用氧化忆和氧化钦也可用忆及钦的有机盐件下, 蒸发除去乙醇和水, 得粉末状物, 过。。“的筛
,
氢氧化物等通过烷结工艺最终使其转变为载化忆和载后, 以的压力成形成形体烧结的具体要求①
。
化钦以℃的速度加热成形体至℃②以℃
, ,
直接用氧化忆其纯度应达”写氧化钦可用一的速度继续加热至℃③保持℃小时
、、
氧化钦二氧化钦倍半氧化钦等上述敏化物粉体的平后, 自然冷却到室温④烧结在热等静压条件下进行, 压
,
均位径应小于拌配方中忆离子与钦离子的重量比为力。‘。⑤整个过程含冷却过程均在通氧
。
夕, 最佳为条件下进行, 确保烧结在”纬氧浓度的氛围中进行
。
氧化忆与氧化钦以公知的热料法制坯如果用忆及钦的制成物经测定, 其密度超过理论密度的
,
有机盐或氮载化物作起始原料让其在制作过程中转变产波长的光的透过率超过写, 拌
, 。
为氧化忆和暇化钦那么纯度和杖径可得到保证坏料波长的光的透过率超过写
、、、
成形可采取单轴辊玉等静压挤压成形注封棋型成形王透和编译
等方法· 本工艺烧结过程的熏开待征是娜结在权舞围中
,
进行到提。
这是确保密度达理论密度韵前条本文于年月日收到
件所谓氧氛围是指载含必须达”的气体环境, 纯
本文介犷型化合物其结构形成简单有电致伸编材料的应变量尚不够
, ,
绍一种电致晶格位于该晶格体心位置而大, 将这些材料用作电致伸缩调节
,
伸缩材料位于其面心位置此外镁妮酸铅的器时, 存在位移量小、驱动电压变大
,
这种材料可位置即钙钦矿型化合物简单晶的间题。
,
用作电致伸一,
格的体心位置其一部分被钦置换在场中
缩调节器,
后的生成物场“卜如增多压电成分的量则
利用电致,
系材料也可用作电致伸缩材料制应变量虽变大, 但磁滞亦随之变大,
伸缩应、
雄,
作电场应变量大磁滞小的电致伸
等的材料从线性角度看不实用如增多电致
,
众所周缩型调节器伸缩成分铸朽的量
, 、。
知, 以往均近年来在精密机械光学仪器则应变量有变小的趋向
用镁妮酸铅等领域, 对位移元件的精密度要求本发明的目的就是为解决上述
场, 。
提高并尝试制作利用电致伸缩效问题其特征是, 用通式、
朽
〕作应的位移驱动元件上述领域所用场一, 表示的陶瓷组成物
,
电致伸缩材, , 、
的电致伸缩材料为能用低电压驱中用或
料它是可, , ,
动需要电应变大直线性高磁滞置换组成物中飞的
通
用式。, ,
小但是针对这些要求以往的电。