衬底温度对宽带隙立方氮化硼薄膜制备的影响.pdf

万方数据
����������������������������*陈��1邓金祥�������2��3引言半导体学报田����������(c��BN)��������������������������(Eg��6��6eV)����������������c��BN��������电阻率和高的热稳定性,可被掺杂成�秃蚽型,不仅可能用于制作高频、大功率、高温电子器件,而且录和平面显示�甤—�还具有高的热导率以及与�,��接近的热膨胀系数,使之可以成为很好的热�年代后期,随着薄膜制备技术的发展与突衬底偏压调制溅射��猄�����和等离子体辅助������������(PACAD)����������������������������������������c��BN����������������������条件难以控制的问题,因此获得高立方相体积分数��c��BN������������������Kouptsedis����������������������������c��BN����������������������Yap������������PLD����������c��BN������������������������������70��[2]������������������������������������������������������c���薄膜的影响,但是至今还不清楚这些条件如何����c��BN�������������������������������������������������������������������(����������������������������c��BN����������������������������������[1]��������������������c��BN����������������������多种物理气相沉积���突���喑粱���������������c��BN��������������������������光沉积��狿��⒗胱邮�粱���、离子镀��、相体积分数的�瓸�∧ね��ü齈�获得,但无最高约�%,��������等人用射频磁控����������������������������70����c��BN��������������������������������c��BN��������底温度阈值范围在����℃之间,低于此温度不能形成�狟�∧��.鉴于此,本实验利用射频溅射第�卷第�期��年�月�������������������������������������������������������������(c��BN)����������������������������������������阶段衬底温度对制备��薄膜的影响.��薄膜沉积在�蚐���衬底上,:衬底温度是立方�薄膜成核的一个重要参数;要得到一定立方相体积分数的薄膜,成核阶段衬底温度有一个阈值,成核阶段衬底温度低于��妫�∧ぶ忻挥辛⒎较嗟拇嬖冢怀牡孜露任��℃时,薄膜中开始形成立方相;衬底温度达到��媸保�玫搅肆⒎较嗵寤�质�咏黮�%的薄膜,并且薄膜中立方相体积分数随着成核阶段衬底温度的升高而增