非制冷红外探测器用高tcr氧化钒薄膜制备研究.pdf

万方数据
��������TCR������������������������Van��umrelations��ofVanadi��oxide红外与激光工程�e��ct��鷈���响���de��tor言明,梁继然,吴淼,吕宇强,韩雷,刘志刚�旖虼笱У缱有畔⒐こ萄г海�旖����摘要:主要介绍了红外探测器的分类、发展,及基于氧化钒薄膜的热探测器的优势;采用直流对靶磁控溅射法制备氧化钒薄膜,通过设计正交实验,获得了氧化钒薄膜的最佳制备参数,分析了��������������������������������TcR��������������������������������������������������之间的关系。关键词:氧化钒;电阻温度系数;红外探测器������������A����������1007��2276(2007)��(����)��005��05��������������Lei��L��z11i��gaIlgexp��ment��111eO��量的电信号的器件。从探测器的工作原理来讲,可以将其分为两大类:热探测器和光电探测器。热探响应速度比光电探测器弱;光电探测器的响应速度比热探测器快得多,但一般需要在低温下工作,设备成本高、价格昂贵,使用也不方便;这些不足之红外探测技术经过多年的发展,已经从第一代其中基于氧化钒红外敏感薄膜的微测辐射热计��������-����(195l��)������������������������������Ms��������������������������������En��l��lji��******@yah����胡中图分类号:�����琇队�Ji��ran��WU��,�300072��Chi������篢�words��V��adiumcoemcient��Infr��uned红外探测器是将不可见的红外辐射转换成可测测器需要一个热电的转换过程,导致了其灵敏度和处限制了光子型探测器及焦平面技术的应用【�。的有限单元探测发展为第二代的阵列焦平面成像,但由于大多数器件工作原理是利用半导体的光电特性,在红外探测波长范围内要想获得实用的探测效果,这些探测单元必须低温制冷�ò阍���以��)������������������������������������������着半导体技术和表面微加工技术的进步,单片集成和混合式非制冷红外焦平面阵列技术取得了长足进步。第�卷,增刊2007��6����U��36���删:���咖��轊��铡����簀�uIliversi��Ti��indetI��torresistance��temperature�—���琀���������廿���,��detectors��11le�縧�discussed��oxide��ResistaIlce��ternperature��������l基金疆目�旖蚴凶匀豢蒲Щ�鹱手�钅��������Ⅱ���鷇2007��06_04
�万方数据
R����委��������������������������f����������������par��eter1����2��������图�允玖唆���谋壤�隩�的关系曲鬃������������������2���������������������������