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半导体专业词汇
1. acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing)
2. acceptor: 受主,如 B ,掺入 Si 中需要接受电子
3. ACCESS :一个 EDA (Engineering Data Analysis )系统
4. Acid :酸
5. Active device :有源器件,如 MOS FET (非线性,可以对信号放大)
6. Align mark(key) :对位标记
7. Alloy :合金
8. Aluminum :铝
9. Ammonia :氨水
10. Ammonium fluoride : NH4F
11. Ammonium hydroxide : NH4OH
12. Amorphous silicon :α -Si ,非晶硅(不是多晶硅)
13. Analog :模拟的
14. Angstrom : A (1E-10m )埃
15. Anisotropic :各向异性(如 POLY ETCH )
16. AQL(Acceptance Quality Level) :接受质量标准,在一定采样下,可以 95%置信度通过质
量标准(不同于可靠性,可靠性要求一定时间后的失效率)
17. ARC(Antireflective coating) :抗反射层(用于 METAL 等层的光刻)
18. Antimony(Sb) 锑
19. Argon(Ar) 氩
20. Arsenic(As) ***
21. Arsenic trioxide(As2O3) 三氧化二***
22. Arsine(AsH3)
23. Asher:去胶机
24. Aspect ration :形貌比( ETCH 中的深度、宽度比)
25. Autodoping :自搀杂(外延时 SUB 的浓度高,导致有杂质蒸发到环境中后,又回掺到外
延层)
26. Back end:后段( CONTACT 以后、 PCM 测试前)
27. Baseline:标准流程
28. Benchmark :基准
29. Bipolar :双极
30. Boat :扩散用(石英)舟
31. CD : ( Critical Dimension )临界(关键) 尺寸。 在工艺上通常指条宽, 例如 POLY CD 为
多晶条宽。
32. Character window :特征窗口。用文字或数字描述的包含工艺所有特性的一个方形区域。
33. Chemical-mechanical polish ( CMP ):化学机械抛光法。一种去掉圆片表面某种物质的方
法。
34. Chemical vapor deposition ( CVD ):化学汽相淀积。一种通过化学反应生成一层薄膜的工
艺。
35. Chip :碎片或芯片。
36. CIM :computer-integrated manufacturing 的缩写。 用计算机控制和监控制造工艺的一种综
合方式。
37. Circuit design :电路设计。一种将各种元器件连接起来实现一定功能的技术。
38. Cleanroom :一种在温度,湿度和洁净度方面都需要满足某些特殊要求的特定区域。
39. Compensation doping :补偿掺杂。向 P 型半导体掺入施主杂质或向 N 型掺入受主杂质。
40. CMOS : complementary metal oxide semiconductor 的缩写。一种将 PMOS 和 NMOS 在同
一个硅衬底上混合制造的工艺。
41. Computer-aided design ( CAD ):计算机辅助设计。
42. Conductivity type :传导类型,由多数载流子决定。在 N 型材料中多数载流子是电子,在
P 型材料中多数载流子是空穴。
43. Contact :孔。在工艺中通常指孔 1,即连接铝和硅的孔。
44. Control chart :控制图。一种用统计数据描述的可以代表工艺某种性质的曲线图表。
45. Correlation :相关性。
46. Cp:工艺能力,详见 process capability 。
47. Cpk :工艺能力指数,详见 process capability index 。
48. Cycle time :圆片做完某段工艺或设定工艺段所需要的时间。 通常用来衡量流通速度的快
慢。
49. Damage:损伤。对于单晶体来说,有时晶格缺陷在表面处理后形成无法修复的变形也可
以叫做损伤。
50. Defect density :缺陷密度。