华灿光电谈Mini LED芯片新进展.doc

华灿光电谈MiniLED芯片新进展近日华灿光电在互动平台上简要谈到其在miniLED芯片方面取得的一些进展。华灿光电表示,在miniRGB方面,华灿光电采用的是结构更加稳定的DBR+ITO结构的倒装芯片,并且在芯片台阶以及侧壁做了绝缘层的优化,进一步的提高了芯片的可靠性。另外还特别针对mini红光LED芯片的衬底转移技术进行了优化,提升整体良率的同时提升了可靠性。华灿光电表示,miniRGB芯片目前已经实现量产,并且已经成为国内外几个主要下游玩家的供应商。在miniBLU方面,为了实现超薄背光模组的均匀混光,华灿光电同国内外下游以及终端厂家配合开发容易实现均匀混光的LED芯片。目前,华灿光电的miniBLU常规芯片可以实现量产,并且已经切入几个重要下游客户的供应链。华灿光电还就当前几种转移技术的发展情况做了如下讨论: 根据现在市场上比较常规的定义,miniLED是指用于显示应用的芯片尺寸在80-300um之间的基于倒装结构LED芯片。 MiniLED在显示上主要有两种应用,一种是作为自发光LED显示(下称miniRGB),由于封装形式上不需要打金线,相比于正装小间距LED,即使在同样的芯片尺寸上miniLED也可以做更小的显示点间距。另外一种是在背光上的应用(下称miniBLU)。相比于传统的背光LED模组,miniLED背光模组将采用更加密集的芯片排布来减少混光距离,做到超薄的光源模组。 MiniLED无论在哪种应用中,都涉及到对大量LED芯片的转移。目前针对microLED开发的巨量转移技术,包括Luxvue采用静电力,ITRI采用的电磁力,Xceleprint采用的范德华力,原则上都能用于miniLED芯片的转移。但是目前这些转移技术都需要对包括转移头,转移设备做特殊的设计制作,技术上也并没有完全成熟和公开,制作成本相对较高。 MiniLED相比于microLED,首先有相对较大的芯片尺寸,而且带有更加硬质的衬底。因此miniLED的转移有更高的精度容忍度,并且芯片由于带有衬底对芯片的拾取操作上有更多的灵活性。基于miniLED的这些特点,各家也都有在开发miniLED相关的转移技术。目前比较容易达