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毕业设计题目:Mn掺杂GaN的电子结构及光学性质院系:应用科学学院微电子学姓名:杨健指导教师:谭昌龙系主任:姜久兴2014年6月18日Mn掺杂GaN的电子结构及光学性质摘要采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波赝势法(PWP)计算Mn掺杂GaN(Ga1-xMnxN)晶体的电子结构及光学性质,,Mn掺杂GaN使得Mn3d与N2p轨道杂化,产生自旋极化杂质带,Ga1-xMnxN表现为半金属性,非常适于自旋注入,,,吸收系数随Mn2+,该峰是源于Mn2+:Mn掺杂GaN;第一性原理;电子结构;居里温度(TC);-DopingAbstractElectronicstructureandopticalpropertiesforseveralMndopingGaN(Ga1-xMnxN)%spinpolarizedimpuritybandinbandstructureofGa1--,apeakofabsorptionduetothetransitionbetweenestateandt2stateofMn2++:Ga1-xMnxN;First-principles;Electronicstructure;Curietemperature;Opticalproperty目录摘要 2Abstract 3目录 4第一章绪论 、应用和掺杂问题研究现状 7第二章第一性原理方法简介 8第三章Mn掺杂GaN及GaN的电子结构及光学性质 15结论 18致谢 19参考文献 、(icsemiconductor,DMS)是利用电子的电荷特性和自旋特性使材料同时具备半导体材料和磁性材料的特性,,、化学性质及热稳定性,又因其具有宽带隙、介电常数小、,与GaAs、Si等材料相比具有本征点缺陷形成能很大,二次缺陷难以产生等特点,这对高温、[1],发现GaN的Keye(代表材料适合于集成电路的程度)、Johnson(衡量高功率器件)、Balign(衡量功率开关的指标)几项优值仅次于金刚石,远大于GaAs、Si、,,Mn、Cr或V掺杂GaN的居里温度(