模电各章知识点总结.docx

---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。---光敏、热敏和掺杂特性。 ----纯净的具有单晶体结构的半导体。 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 ----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素。*N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素。*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。*转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。*PN结的接触电位差---硅材料约为~,锗材料约为~。*PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。*单向导电性------正向导通,反向截止。*二极管伏安特性----同PN结。*正向导通压降------硅管~,锗管~。*死区电压------硅管,锗管。 ------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴(正偏),二极管导通(短路);若V阳V阴(正偏),二极管导通(短路);若V阳模电各章知识点总结)类半导体,空穴为多数载流子而电子为少子。 6、N型半导体:在纯净半导体中掺入五价杂质元素,便形成N型半导体,使导电能力大大加强,此类半导体,电子为多子、而空穴为少子。 7、PNP接正、N接负时P接负、N接正时,PN结反向截止。所以正向电流主要由多子的扩散运动形成的,而反向电流主要由少子的漂移运动形成的。 8 9、二极管由一个PN反偏其死区电压:Si管约,e其导通压降:Si管约,Ge管约为V。这两组数也是判材料的依据。 10、稳压管是工作在反向击穿状态的: ①加正向电压时,相当正向导通的二极管。②加反向电压时截止,相当断开。③加反向电压并击穿时便稳压为UZ。11 二、应用举例: 参考答案:a、因阳极电位比阴极高,即二极管正偏导通。是硅管。b、二极管反偏截止。f、因V的阳极电位比阴极电位高,所以二极管正偏导通,使输出电压为U0=3V。G、因V1正向电压为10V,V2正向电压13V,使V2先导通,使输出电压U0=3V,而使V1反偏截止。h、同理,因V1正向电压10V、V2正向电压为7V,所以V1先导通,输出电压U0=0V,使V2反偏截止。三、书P31****题:1-3、1-4、1-6、1-8、1-13、1-16 1、《模电》第二章重点掌握内容: 一、概念 1、三极管由两个PN结组成。从结构看有三个区、两个结、三个极。三个区:发射区——掺杂浓度很高,其作用是向基区发射电子。基区——掺杂浓度很低,其作用是控制发射区发射的电子。集电区——掺杂浓度较高,但面积最大,其作用是收集发射区发射的电子。两个结:集电区——基区形成的PNJC) 基区——发射区形成的PN结。叫发射结。三个极:从三个区引出的三个电极分别叫基极B、发射极E和集电极C 对应的三个电流分别称基极电流IB、发射极电流IE、集电极电流IC。并有:IE=IB+ IC 2(参考图A。注意电路符号的区别。可用二极管等效来分析。) 3、三极管的输入电压电流用UBE、IB表示,输出电压电流用UCE、IC表示。即基极发射极间的电压为输入电压UBE,集电极发射间的电压为输出电压UCE。=IC/IB(或IC=βIB)和开关作用. 4、三极管的输入特性与二极管正向特性很相似,也有:死区电压:硅管约为,锗管约为。导通压降:硅管约为,锗管约为。 5、三极管的输出特性(指输出电压UCE与输出电流IC的关系特性)有三个区: ①特点是UCE﹤,无放大作用,C-. ②截止区:特点是UBE≦0,IB=0,IC=0,-E间相当断开③放大区:特点是UBE大于死区电压,UCE﹥1V,IC=,即饱和状态,截止状态和放大状态,作放大用时应工作在放大状态,作开关用时应工作在截止和饱和状态. 6、当输入信号Ii很微弱时,三极管可用H参数模型代替(也叫微变电路等效电路)(参考图B) 7、对放大电路的分析有估算法和图解法估算法是:⑴先画出直流通路, 求静态工作点IBQ、ICQ、UCEQ。⑵画交流通路,H参数小信号等效电路求电压放大倍数AU输入输出电阻RI 和R0。图解法:是在输入回路求出IB后,在输入特性作直线,得到工作点Q,读出相应的IBQ、 UBEQ 而在输出回路列电压方程在输出曲线作直线,得到工作点Q,读出相应的ICQ、 UCEQ 。若工作点Q点加入待放大信号ui从输入输出特