四探针方法测电阻率- 四探针方法教学 讲义.ppt探针方法测量半导体的电阻率<二>实验原理1、体电阻率测量:四探针法测量原理图当1、2、3、4四根金属探针排成一直线时,并以一定压力压在半导体材料上,在1、4两处探针间通过电流I,则2、3探针间产生电位差V。材料电阻率式中:S1、S2、S3分别为探针1与2,2与3,3与4之间距,用cm为单位时的值,S1=S2=S3=。C。若电流取I=C时,则ρ=V,可由数字电压表直接读出。探针系数(1)(2)(a)块状和棒状样品体电阻率测量:由于块状和棒状样品外形尺寸与探针间距比较,合乎于半无限大的边界条件,电阻率值可以直接由(1)、(2)式求出。(b)簿片电阻率测量簿片样品因为其厚度与探针间距比较,不能忽略,测量时要提供样品的厚度形状和测量位置的修正系数。电阻率值可由下面公式得出:式中:ρ0为块状体电阻率测量值;W:为样品厚度(um);S:探针间距(mm);G(W/S)为样品厚度修正函数,可由附录IA或附录1B查得;D(d/S)为样品形状和测量位置的修正函数,可由附录2查得。W/S<,实用。当圆形硅片的厚度满足W/S<,电阻率为:2、带扩散层的方块电阻测量当半导体薄层尺寸满足于半无限大时:若取I=,I0为该电流量程满度值,则R0值可由数字表中直接读出的数乘上10后得到。<三>仪器结构特征数字式四探针测试仪主体部分由高灵敏度直流数字电压表、恒流源、电源、DC-DC电源变换器组成。为了扩大仪器功能及方便使用,还设立了单位、小数点自动显示电路、电流调节、自校电路和调零电路。
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