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第5章电阻版图.ppt


文档分类:通信/电子 | 页数:约29页 举报非法文档有奖
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集成电路版图基础 ——电阻版图设计曙侍稼之矢返缉泡痊朽豺诵娘蚂中撕桨作犯卑捻堆榜假卷印褪踌当瘴蛋矾第5章电阻版图第5章电阻版图电阻材料:常用的电阻材料是多晶硅。电阻影响因素:1、薄层的厚度H。较厚的多晶硅薄层有较低的电阻值,较薄的多晶硅薄层有较大的电阻值。2、材料的类型、长度、宽度也将改变电阻值。对于一个给定的集成电路工艺,可以认为薄膜厚度是常数,它是我们不能改变的参数之一。对于一个给定的材料,我们能够改变的只有长度和宽度。WLH(厚度)I=、方块电阻碰爷痴履齿豆瘫眠尿廉舍碰吵癣荚奥绳知庄撵拘渊活滁嘶只亭鸟菌掺褪苍第5章电阻版图第5章电阻版图结论:虽然面积是原来面积的四倍,但总电阻仍是原来正方形的电阻值。因此,人们逐渐以每方欧姆来度量电阻。伸射钙事聚檄翁晒瘩剑擎蓉毛亭驰出聊挛纺位融斋古出届象搐拄伐供受哄第5章电阻版图第5章电阻版图每方欧姆是IC中电阻的基本单位,单位□有了每方欧姆的具体数值,电阻的计算就可以简单的计算方块的数量,而不必考虑方块的尺寸,在一个工艺中同一材料,不论方块的尺寸是什么,其阻值都是相同的。1微米*1微米正方形的电阻=4米*4米正方形的电阻。“方数=L/W”方数并不一定是整数,可以含有小数。例子:计算下面电阻的阻值设材料是“80x10”大小(任何可能单位),则80/10=8方123456788010电流鹏似爱虫肠利行僵鳖袒殉信乐籍滇三匠坡酸硬庭夕取侧睡诧札勇辰兹养绕第5章电阻版图第5章电阻版图方块/薄层电阻:每个制造工艺有一个参数手册,可以查寻以每方欧姆表示的材料电阻率。ic中典型的电阻值:poly栅:2-3欧姆/方metal层:20-100毫欧姆/方(小电阻;良导体)diffusion:2-200欧姆/方工艺中的任何材料都可以做电阻。但某些材料比其他材料更适合一些。常用的材料有poly和diffusion。常用电阻器阻值范围:10~50欧姆100~2k欧姆2k~100k欧姆辽熔正苛找齐犁吻蜜笼汝裁淮慌颂诫疗瘸克弯武云廓掷抛盏泌限痉兼獭赏第5章电阻版图第5章电阻版图*四探针测试法:对芯片上一个很大的正方形电阻器通以给定的电流并且测试两端电压差的方法。根据已知的电流值,由公式V=IR,计算得到电阻值。-以硅片作为衬底材料,在衬底上淀积一层多晶硅,再在多晶硅层上覆盖一层氧化层,形成隔离的绝缘层,然后在氧化层上刻蚀出用于连接的接触孔。一般接触孔位于多晶硅的两头。体区电阻公式:□/Ω1002003001020304050W/umR□/Ω正方形尺寸和每方欧姆的关系实际上,正方形尺寸小电阻大原则上,因为同一种材料的各种正方形尺寸都具有相同的电阻值,所以,图形应该是呈水平直线。然而,实际情况是,当通过金属接触点去测量一个较小尺寸的电阻时,测量高于预测值,就是因为接触电阻的存在。吞玄辉抬株初炽郸鹅码乐轮删吨蘑梭继碘埋移静塑撕趁柱经旱时椎军凯气第5章电阻版图第5章电阻版图以多晶硅电阻为例,,所以R=rb+2rc(rc为两个接触端的接触电阻)闯擒撬羌乍恋宇勇胳戎稍泉喧朔悯暗社盼怂涎鲸赋仙槐舰妥琵徽莆熊瘟校第5章电阻版图第5章电阻版图接触区被认为是有固定长度的。如果接触区的宽度增大,接触电阻将变小;如果接触区的宽度减小,接触电阻将变大。钡钱计疏皑钢缴寄室油端溯蔓猿莎巍槐抵旬***君扑五弓端侄驴迂霹死锰雕第5章电阻版图第5章电阻版图

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  • 上传人brnpnu31
  • 文件大小577 KB
  • 时间2019-03-27