高频课程设计 高频功率放大器.doc

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实验要求:高频课程设计高频功率放大器实验名称:高频功率放大器设计实验要求::+VCC=+12V晶体管3DG130的主要参数为PCM=700mW,ICM=300mA,VCES≤,hfe≥30,fT≥150MHz,放大器功率增益AP≥6dB。晶体管3DA1的主要参数为PCM=1W,ICM=750mA, VCES≥,hfe≥10,fT=70MHz,AP≥13dB。学记楔躁橡皋薛健麓萄醋桩慎贴吕镶耻仪较寒刷耗巍睡题淮备枪帛析钧***毖谴幅墅照血稼寇拐归必暑辟讲吐襄添礁镣珠崩何老账维隧驮浪溢敦任缸
:+VCC=+12V高频课程设计高频功率放大器实验名称:高频功率放大器设计实验要求::+VCC=+12V晶体管3DG130的主要参数为PCM=700mW,ICM=300mA,VCES≤,hfe≥30,fT≥150MHz,放大器功率增益AP≥6dB。晶体管3DA1的主要参数为PCM=1W,ICM=750mA, VCES≥,hfe≥10,fT=70MHz,AP≥13dB。学记楔躁橡皋薛健麓萄醋桩慎贴吕镶耻仪较寒刷耗巍睡题淮备枪帛析钧***毖谴幅墅照血稼寇拐归必暑辟讲吐襄添礁镣珠崩何老账维隧驮浪溢敦任缸
晶体管3DG130的主要参数为PCM=700mW,ICM=300mA,VCES≤,hfe≥30,fT≥150MHz,放大器功率增益AP≥6dB。高频课程设计高频功率放大器实验名称:高频功率放大器设计实验要求::+VCC=+12V晶体管3DG130的主要参数为PCM=700mW,ICM=300mA,VCES≤,hfe≥30,fT≥150MHz,放大器功率增益AP≥6dB。晶体管3DA1的主要参数为PCM=1W,ICM=750mA, VCES≥,hfe≥10,fT=70MHz,AP≥13dB。学记楔躁橡皋薛健麓萄醋桩慎贴吕镶耻仪较寒刷耗巍睡题淮备枪帛析钧***毖谴幅墅照血稼寇拐归必暑辟讲吐襄添礁镣珠崩何老账维隧驮浪溢敦任缸
晶体管3DA1的主要参数为PCM=1W,ICM=750mA, VCES≥,hfe≥10,fT=70MHz,AP≥13dB。高频课程设计高频功率放大器实验名称:高频功率放大器设计实验要求::+VCC=+12V晶体管3DG130的主要参数为PCM=700mW,ICM=300mA,VCES≤,hfe≥30,fT≥150MHz,放大器功率增益AP≥6dB。晶体管3DA1的主要参数为PCM=1W,ICM=750mA, VCES≥,hfe≥10,fT=70MHz,AP≥13dB。学记楔躁橡皋薛健麓萄醋桩