ZnO薄膜光电性质研究.pdf

。从年首次报导∧さ氖椅伦贤夥⑸渚嘟窦河惺辏其中一个重要原因是高质量的蚙薄膜的稳定、可重复制各工艺尚未实现,此外∧さ姆⒐庑室灿写徊教岣摺片能在很大程度上节约成本,是∧て骷祷幕褪钦庋恢价格低廉且易于光电集成的基片,但由于平口溲现兀赟贤庋痈呓∧ぞ哂泄獾缱;惶匦裕型晌L裟艿绯夭牧希淮送饨岷掀淇斫带特征,也可作为紫外探测器件材料,在军事、民用方面有着广阔前景。围绕上述背景,本论文以溅射工艺制备的∧のQ芯慷韵螅右韵***本身的紫外发光有极大的增强,是一种极有潜力的掺杂方案。其次,系统研究了利用溅射工艺在基片夕延∧す讨懈鞑问优化,分析了∧ぶ械纳钅芗度毕荩肧、裙刹阍趕进行了外延高质量∧さ某⑹浴=峁砻髁街止刹愣寄苡行Ц纳芐上外延的∧さ慕峋е柿浚珹过渡层还能显著提高∧さ纳に最后,研究了∧さ墓獾缱;匦约白贤庀煊μ匦裕诖嘶∩铣晒制各了贤馓讲馄髟推骷和高达募ぷ咏岷夏苁艿搅斯惴汗刈ⅲ蝗衔J怯型〈鶪的新一代但す舛ü堋⒎⒐舛ü艿榷滩ǔす獾缙骷晕创锏绞涤没乃剑∧さ囊熘释庋右彩欠浅V匾5目翁狻2捎靡熘释庋硬⒀∪『鲜实幕晶质量的∧な恰ǜ鋈源饩龅奈侍狻个方面开展了工作:首先,研究了腁粼樱⒐鄄斓焦緼粼拥贾滦纬傻腪薄膜纳米复合结构。实验表明掺银的∧び凶;狿型的趋势,并对率。
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第一章绪论男灾氧化锌且恢志哂辛窍诵靠笮徒峁沟目斫鳬甐寤衔锇氲自年等科研人员实现了宽禁带半导体材料腜型薄膜相关器件的代表材料。但紧接着在年第届国际半导体物理年会上,薄膜室温光泵浦紫外激光被首次报导】,这个结果迅速获得了学术界的认可和二已经持续了整整十年,这些年来各国科研人员进行了大量的工作,获得了许多重电学性质的研究,基片外延∧ず凸刹阊芯浚约癦的光电转换特自然界中蕴涵有大量的和K兀琙是一种常见的物质,人们对它的研究也己开展了许多年。本节将简要介绍其结构、光学、电学以及其他方面的体。近些年来,,因为这表明诙滩ǔす獾缱佑τ梅矫婢哂广阔的前景,很可能取代壳暗牡匚弧制备的重大突破后,晌6滩ǔ蓝、绿光⒐舛ü堋⒓す馄骱推渌热烈关注。年提出:“”,认为欠浅S星绷Φ男滦凸獾缱硬牧希芸赡苋〈鶪并占据未来的短波长半导体材料市场4曛两裎V梗琙在短波长光电子领域的研究热潮要的成果,每年发表的相关论文数量呈几何级数迅速递增,晌0氲继宀牧科研领域的一个热门课题。本论文在此背景下展开了工作,主要包括银掺杂∧さ闹票讣捌涔庋А性研究等方面的内容。基本性质。§.木褰峁羌园氲继澹腥窒啻嬖冢欠直鹗纤锌矿,热稳定性最好,最常见:
通常的际窍诵靠蠼峁埂F渚植渴且桓騔离子外面有鲎近邻的騉胱有纬烧面体,对应化学键是典型的O诵靠蠼数,,具体结构如图所示。由于械谋菊魇┲魅毕萑缪蹩瘴弧⑿刻钕兜鹊男纬赡芙系停蛊浔硐殖鋈鮪型导电性质。质量较好的本征块状宓脑亓髯优ǘ韧ǔT‘的数量级,其电子迁移率能达到/以上,甚至有报导超过厂的数据来看,绝大多数∧さ氖椅碌缱忧ㄒ坡识荚趌疺韵拢詈玫半导体的秃蚉型掺杂是制备同质岬那疤峁ひ铡的筒粼樱外,也可以用于透明导电薄膜确矫妗,俊薄膜的筒粼哟踊闪锌矿岩盐,只在高压下存在构的粲诹骄档乃ú忝芏眩湓凑誂挪迹渚Ц癯图木褰峁§.牡缪灾始捌洳粼且恢挚斫室温下、。【。相对来说,在各种基片上外延∧さ那ㄒ坡试蛞2畹枚唷4蛹罕ǖ嫉数据也只有/饪赡苁怯捎诒∧ね庋庸讨械木Ц袷浜湍承┤毕导致。可以采用、、等施主杂质,得到的蚙低阻薄膜除了制备嶂
的。可是为了制备蔖—嵋越徊交竦酶咧柿康墓獾缙骷琍型第二章一一“氧化锌薄膜的银掺杂研究”部分系统进行。,对应的近带边发射W贤獠ǘ巍U馐沟肸在短波长光电子应用方面具有极大的潜发展对于这两个关键环节恰恰有着举足轻重的意义。其实,早在年,人们就已观察到用电子束泵浦激发的臀液氮温度贤夥⑸洹庵址⒐獾那慷人孀盼露鹊奶岣哐杆俳档停谑椅孪录实际上,哂杏隚相近的带隙宽度,并且募ぷ咏岷夏鼙菺热离化能,所以更易于产生室温下的激予复合发光贤。此外,还有其它一些比旁降奶匦裕缂ぷ釉鲆娓摺⒘己玫幕珩詈闲浴⒔低的电子诱生缺陷、外延生长温度低、成本低、熔点更高、容易刻蚀加工方便等,因此确实是一种非常有潜力的光电信息材料。表籌列出了和其他几种短波长光电信息材料的基本性质。其中、、、:蚑直上讲是易于进行的,技术也己经相当成熟,甚至可以得到电阻率只有一~牡妥璞∧5牵琙薄膜的筒粼尤从龅搅讼嗟贝蟮睦选虽然理论上无论逶K鼗故荲族元素均可作为驮又什羧隯,但实际上作为一种宽禁带弱桶氲继澹捎赯强烈的自补偿效应以及受主杂质的进入导致马德隆能增加等各方面的因素,其筒粼邮欠浅@的制各又是非常重要的。因此,该方面的详细介绍和解