硅底表面单子光散射研究.pdf

摘要是粒子和平面之间存在的相互作用场。引入反射矩阵来研究相互作用场的影响,缺陷及其所带来的影响是芯片失效的主要原因。因此,在集成电路生产过程中迫切需要对晶圆表面质量进行严格的检测与控制,而激光缺陷检测是一种无损检测。为提高激光探测系统对晶片上微粒缺陷的检测能力,本文建立了表面上粒子散射的数理模型,通过对此模型下的散射理论研究,获得微分散射截面图,来解决表面缺陷诊断系统研究发展实施中的关键技术,从而为工程师设计出灵敏而有效的诊断工具提供了有力的帮助。在粒子的光散射计算中,由匠坛龇ⅲ诒呓缣跫拢谑噶坎函数的加法定理,将入射场和散射场用球矢量波函数展开,求得散射场和入射场展开式系数之间的传输矩阵一卣蟆6訲矩阵的计算,我璴入一种新的方法一微元法来代替传统计算所用的扩张边界法。引入超椭球函数来摸拟粒子的各种形貌,通过对超椭球表面的三角形剖分获取表面的几何信息。将几何信息导入零场方程得到任意粒子的散射的卣蟆=玊矩阵方法应用到表面上的粒子的散射问题,通过无限表面上僮餍问剑蟪鑫尴薇砻娴纳⑸涮匦裕⒃诖嘶∩弦无限表面上粒子的散射计算,对表面上粒子散射情况,它的入射场有三部分组成,一是直接作用到粒子的入射场;二是在平面发生反射后再作用粒子的入射场;三通过对平面波和球矢量波函数的相互展开来求解反射矩阵。这样就得到平面上粒子的光散射的卣蟆W詈螅疚母龈媚P偷姆抡娼峁关键词:任意粒子超椭球函数散射无限表面卣
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导『┟骸苤客騣嬖本人签名:⋯⋯⋯⋯一本人簦名霍妹嬉幌肌闩期⋯一∞丑上墨⋯⋯⋯⋯~凇铣罅⒍弧关于论文使用授权的说明同期⋯一越换ノ馈创新性声明本人卢明所黾交的论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。尽我所知,除,文中特别加以标注和致谢中所罗列的内容以外,论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果;也不包含为获得西安电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贞献均已在论文中做了明确的说明并表示了谢意。申请学位沦文与资料若有不实之处,本人承担~切相关责任。本人完全馕靼驳缱涌萍即笱в泄乇N竞褪褂醚宦畚牡墓娑ǎ矗貉芯可在校攻读学位期蚓论文工作的知识产权单位属于西安电子科技大学。本人保证毕业离校后,发表论文或使用论文工作成果时署名单位仍然为西安电子科技大学。学校有权保留送交论文的复印件,允许查阅和借阅论文;学校可以公布论文的全部或部分内容,可以允许采用影印、缩印或其它复制手段保存论文。C艿穆畚在解密厉遵守此规定本学位论史属于保密,在年解密后适用本授权书。声明
增加到小U馐沟孟执氲继骞ひ刀匀毕菹晕⒓,随着集成电路图形特征尺寸的急剧缩小,图形加工精度的提高,缺陷密度对成品率的影响显得越来越突出,因为晶圆表面微小的缺陷都有可能导致整个器件的失效,这就要求现代工业对半导体晶圆表面质量的要求越来越高。因此,在集成电路生产过程中迫切需要对晶圆表面质量进行严格的检测与控制。激光缺陷检测是一种无损检测,它通过对晶圆表面缺陷散射光的搜集,生成晶圆局部区域的数字图像;经过算法处理,即可判断有无缺陷或缺陷的类型,进而生成晶圆标识图。因此,对表面上的散射光的计算研究有着重要意义【【俊】。有资料显示,目前半导体生产过程处理步骤达到鲆陨稀⒋硎奔渲芷达到数周以上【,比如要求其分辨率达到,晶圆图坐标定位精度达到煞掷嗳毕莩掷嘈蚚。半导体表面缺陷检测是生产管理的重要内容和关键技术。在线诊断系统对提高产品合格率、减小生产周期有重要意义。它是集激光暗场显微技术、精密机械随动平台、图像扫描与成像处理技术、空间滤波技术、自动缺陷分类与聚类分析、缺陷管理数据库和空间信息分析处理系统于一体的精密光机电设备。从历史看,半导体缺陷检测主要有以下方法:⑾晕⒕等斯す鄄⒒诳占淦德事瞬ㄆ骷际醯淖远觳为适应在线诊断的需求,先进的检测技术一般要求:首先,对高密度的刻线和形貌的检测具有一定的分辨率和聚焦深度;第二,为了可靠地检测蚀刻线,设备检测能力最好小于微粒污染物的尺寸;第三,有较高的生产通过率。电子化自动诊断设备对半导体表面上缺陷诊断能力相当程度上依赖于缺陷模型的建立和缺陷散射光的计算R虼耍诎氲继灞砻嫔匣蚋浇那蛐瘟W拥纳⑸光计算问题一直是很多理论和实验研究的课题,不仅在于它的基础科学性,而且⒐馍枳远觳⒒谑滞枷翊淼淖远觳⒒谏瓒ü嬖蛐Q榈淖远觳
也在于它对实际应用有着重要的指导作用,⑸洹H鹄⑸渲要用于粒子远远小于波长时的情况;而⑸淇捎糜诹W又本对即笥诓ǔさ氖之一的情