霍尔元件测磁场实验报告 (2).doc

芇用霍尔元件测磁场莄前言:薀霍耳效应是德国物理学家霍耳(1855—1938)于1879年在他的导师罗兰指导下发现的。由于这种效应对一般的材料来讲很不明显,因而长期未得到实际应用。六十年代以来,随着半导体工艺和材料的发展,这一效应才在科学实验和工程技术中得到了广泛应用。袀利用半导体材料制成的霍耳元件,特别是测量元件,广泛应用于工业自动化和电子技术等方面。由于霍耳元件的面积可以做得很小,所以可用它测量某点或缝隙中的磁场。此外,还可以利用这一效应来测量半导体中的载流子浓度及判别半导体的类型等。近年来霍耳效应得到了重要发展,冯﹒克利青在极强磁场和极低温度下观察到了量子霍耳效应,它的应用大大提高了有关基本常数测量的准确性。在工业生产要求自动检测和控制的今天,作为敏感元件之一的霍耳器件,会有更广阔的应用前景。了解这一富有实用性的实验,对今后的工作将大有益处。肄蒃教学目的:罿了解霍尔效应产生的机理,掌握测试霍尔器件的工作特性。薀掌握用霍尔元件测量磁场的原理和方法。膆学****用霍尔器件测绘长直螺线管的轴向磁场分布。袅蚃教学重难点:。羃肂实验原理袇如右图所示,把一长方形半导体薄片放入磁场中,其平面与磁场垂直,薄片的四个侧面分别引出两对电极(M、N和P、S),径电极M、N通以直流电流IH,则在P、S极所在侧面产生电势差,这一现象称为霍尔效应。这电势差叫做霍尔电势差,这样的小薄片就是霍尔片。肄假设霍尔片是由n型半导体材料制成的,其载流子为电子,在电极M、N上通过的电流由M极进入,N极出来(如图),则片中载流子(电子)的运动方向与电流IS的方向相反为v,运动的载流子在磁场B中要受到洛仑兹力fB的作用,fB=ev×B,电子在fB的作用下,在由N→M运动的过程中,同时要向S极所在的侧面偏转(即向下方偏转),结果使下侧面积聚电子而带负电,相应的上侧面积(P极所在侧面)带正电,在上下两侧面之间就形成电势差VH,即霍尔电势差。薄片中电子在受到fB作用的同时,要受到霍尔电压产生的霍尔电场EH的作用。fH的方向与fB的方向正好相反,EH=VH/b,b是上下侧面之间的距离即薄片的宽度,当fH+fB=0时,电子受力为零达到稳定状态,则有肂–eEH+(–ev×B)=0薁EH=-v×B薇因v垂直B,故EH=B(是载流子的平均速度)肆霍尔电压为VH=bEH=bB。蒄设薄片中电子浓度为n,则羁IS=nedb,=IS/nedb。芈VH=ISB/ned=KHISB***式中比例系数KH=1/ned,称为霍尔元件的灵敏度。薂将VH=KHISB改写得B=VH/KHIS莀如果我们知道了霍尔电流IH,霍尔电压VH的大小和霍尔元件的灵敏度KH,我们就可以算出磁感应强度B。肈实际测量时所测得的电压不只是VH,还包括其他因素带来的附加电压。根据其产生的原因及特点,测量时可用改变IS和B的方向的方法,抵消某些因素的影响。例如测量时首先任取某一方向的IS和B为正,当改变它们的方向时为负,保持IS、B的数值不变,取(IS+,B+)、(IS-、B+)、(IS+、B-)、(IS-,B-)四种条件进行测量,测量结果分别为:羄V1=VH+V0+VE+VN+VRLV2=-VH-V0-VE+VN+VRL袅V3=-VH+V0-VE-VN-VRLV4=VH-V0+VE-VN-VRL螀从上述结果中消去V0,VN和VRL,得到蝿VH=(V1-V2-V3+V4)-VE羆一般地VE比VH小得多,在误差范围内可以忽略不计。羃蒃实验仪器TH-S型螺线管磁场测定实验组合仪。蕿实验仪介绍肇膂羂艿袄蒄莂肀如图所示,探杆固定在二维(X,Y方向)调节支架上。其中Y方向调节支架通过旋钮Y调节探杆中心轴线与螺线管内孔轴线位置,应使之重合。X方向调节支架通过旋钮X1,X2来调节探杆的轴向位置,其位置可通过标尺读出。袆位置薂右端螁中心螀左端羇X1(cm)羅0膀14薀14螅X2(cm).“Is输出”:霍尔器件工作电流源,输出电流0~10mA,通过“Is调节”旋钮调节。蒈2.“IM输出”:螺线管励磁电流源,输出电流0~1A,通过“IM调节”旋钮调节。蚅上述俩组恒流源读数可通过“测量选择”按键共用一只数字电流表“IS(mA).IM(A)“显示,按键测IM,放键测IS。“(mV)”,供测量霍尔电压用。,K1、K2、K3都断开,注意Is和Im不可接反,将Is和Im调节旋钮逆时针方向旋到底,使其输入电流趋于最小状态。,慢慢将霍尔器件移到螺线管的中心位置(X1=14cm,X2=0)(注:以相距螺线管两端口等远的中心位置为坐标原点,则探头离中心的距离为X=14-X1-X2)。