毕业设计DDR的PCB设计.doc

目录DDR的PCB设计 IThePCBdesignofDDR II第1章绪论 -DDR与SDRAM的区别 4第2章噪声来源及分析 14第3章完整性分析 24第4章布局与布线 (stackup)和阻抗 38结束语 40参考文献 41致谢 42附录数据线同组同层 43DDR的PCB设计摘要:随着微电子技术和计算机技术的不断发展,DDR双通道同步动态随机存储器在通信系统中的应用越来越显得重要,而随着电子产品的集成化,对DDR在PCB中的设计要求也越来越高。为了更好的能理解DDR,本文还与SDRAM一并做了介绍与设计。本设计为基于DDR双通道同步动态随机存储器的PCB设计。本文主要介绍了在对DDR的PCB设计时,所面临的信号完整性。详尽的阐述了影响信号完整性的反射、串扰和信号完整性中的时序分析的相关理论并提出了减小反射和串扰得有效措施。对布线与布局的一些注意事项及要点也做了详细的叙述。关键字:反射;SDRAM;串扰;信号完整性;时序ThePCBdesignofDDRAbstract:putertechnology,municationsystem,theapplicationappearsmoreandmoreimportant,,:Reflex;SDRAM;Crosstalk;Signalintegrity;(双信道同步动态随机存取内存)即DDRSDRAM(essMemory)为具有双倍数据传输率之SDRAM,其数据传输速度为系统频率之两倍,由于速度增加,其传输效能优于传统的SDRAM。:,DDR,英文原意为“DoubleDataRate”,顾名思义,就是双数据传输模式。之所以称其为“双”,也就意味着有“单”,我们日常所使用的SDRAM都是“单数据传输模式”。DDRSDRAM最早是由三星公司于1996年提出,由日本电气、三菱、富士通、东芝、日立、德州仪器、三星及现代等八家公司协议订立的内存规格,并得到了AMD、VIA与SiS等主要芯片组厂商的支持。DDR这种内存的特性是在一个内存时钟周期中,在一个方波上升沿时进行一次操作(读或写),而DDR则引用了一种新的设计,其在一个内存时钟周期中,在方波上升沿时进行一次操作,在方波的下降沿时也做一次操作,之所以在一个时钟周期中,DDR则可以完成SDRAM两个周期才能完成的任务,所以理论上同速率的DDR内存与SDRAM内存相比,性能要超出一倍,可以简单理解为100MHZDDR=200MHZSDRAM。-DDR与SDRAM的区别D