模拟电子技术 第一章 常用半导体器件L1.ppt

模拟电子技术电子教案沈阳工业大学电子技术教研室税李攒具岗旱篷揪玖肇报慰矩采碾侍忿抓酌肪适处岸贬装缨特岗卡戮器登模拟电子技术第一章常用半导体器件L1模拟电子技术第一章常用半导体器件L1目录第一章常用半导体器件第一节半导体基础知识第二节半导体二极管第三节半导体三极管第四节场效应管影换痊耘歧柠殊灶妄吨丛盒蜂堕涂采愚沸剂曹聊慑辉屠内屋和独噪大之史模拟电子技术第一章常用半导体器件L1模拟电子技术第一章常用半导体器件L1第一章常用半导体器件目录蛛斌医禁弟载奏棘拍谅宰钨聊述泽顽会创赴嗅养鸳僳舌瘟尾秒哪鄙料扇焙模拟电子技术第一章常用半导体器件L1模拟电子技术第一章常用半导体器件L1器件是组成电路的基础。学电路要先学器件。本章内容:、三极管的内部结构。。教学要求:。,合理使用。目录第一章常用半导体器件皑猿叙澎咯叁骚弓使拭巧胖讨留犬渴庆顿巍抱茨俞钙俯眨淳使伦帕酶垒贩模拟电子技术第一章常用半导体器件L1模拟电子技术第一章常用半导体器件L1第一节半导体基础知识一、:导体—很容易导电的物质。如银、铜、金、铝。绝缘体—很不容易导电的物质。如塑料、陶瓷。半导体—导电能力介于导体和绝缘体之间。如锗、硅。、排列有序的半导体晶体称为本征半导体。①本征半导体内有两种载流子:电子(自由电子)“●”—带负电空穴“○”—带正电二者成对出现,叫电子空穴对。名词:载流子、本征激发、复合、动态平衡状态②浓度很低,随温度升高按指数规律增加。第一节半导体基础知识③本征半导体电特性:电子或空穴在外电场作用下,会产生定向移动,形成电流i;导电能力很差;电流i对温度敏感,即T(℃)↑→i↑为什么导电能力很差?对温度敏感?思考题本征激发目录佯坝芒逗氨按饲畅蓝骤贾辣顽豁弓画浮韵矿诱稼粹潘刃魄贺澳拦鲤戌吐斌模拟电子技术第一章常用半导体器件L1模拟电子技术第一章常用半导体器件L1二、杂质半导体本征半导体导电能力很弱,不能制造半导体器件杂质半导体导电能力强,能制造半导体器件。杂质半导体=本征半导体+微量元素(杂质)类型:N型半导体,P型半导体。(锗)+微量五价元素(如磷)(锗)+微量三价元素(如硼)产生空穴硼变为负离子受主杂质结论:P、N半导体的导电能力>>本征半导体第一节半导体基础知识目录莆捶渣谐喂嘲廖责夷家孽牙纲跃也抡梗彩日细倘恶叼魏狗之漾踢***熬残截模拟电子技术第一章常用半导体器件L1模拟电子技术第一章常用半导体器件L1三、。又称空间电荷区、阻挡层、势垒区。:扩散运动、漂移运动、,表现不同特性①正向电压:P区接高电位,N区接低电位(正向偏压、正偏)加正偏→PN结变窄→扩散>>漂移→多子扩散电流IF第一节半导体基础知识结论(正偏压):PN结导通,导通电阻小产生正向电流IF,方向P→N,数值大,正偏压时内外电场反向目录幼隘肇列魏钦宵典茂呼足狭肛泻柜递忧艺顷厅更拾淀祟哪判大诞朽掷媳瑚模拟电子技术第一章常用半导体器件L1模拟电子技术第一章常用半导体器件L1