磁控溅射制备nio薄膜光电特性地研究.pdf

监作者签名:—』差—蛑—⒃旅巳长春理工大学硕士学位论文原创性声明长春理工大学学位论文版权使用授权书本学位论文作者及指导教师完全了解“长春理工大学硕士、博士学位论文版权使用规定”,同意长春理工大学保留并向中国科学信息研究所、中国优秀博硕士学位论文全文数据库和系列数据库及其它国家有关部门或机构送交学位论文的复印件和电子版,允许论文被查阅和借阅。本人授权长春理工大学可以将本学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索,也可采用影印、缩印或扫描等复制手段保存和汇编学位论文。导师签名:本人郑重声明:所早交的硕十学位论文,《磁控溅射制备∧。除文中已经注明引圳的内彝外,本论作者签名文不包含任何其他个人或集体已经发表或撰写过的作晶成果。对本文的研究做山重要贡献的个人和集体,均已在文中以明确方式标明。本人完全意识到本声明的法律结果由本人承担。
摘要氧化镍且恢挚斫氲继宀牧希氏諴型导电性质而且它具有较好的化学、电学,光学和磁学特性,因此得到了人们广泛的研究并且在各种光电器件,例如:紫外探测器,化学传感器的功能层,电致变色超级电容,有机发光二极管上得到了应用。本论文首先综述了∧さ男灾省⒂τ煤统S玫闹聘鞣椒ǎ谥票阜椒ㄖ射频磁控溅射法是较为常用的一种薄膜制各技术,但是各种溅射参数对薄膜的性质有很大的影响。本文中也采用射频磁控溅射法在不同溅射电压、、衬底温度和靶距下制各了∧ぃ脁射线衍射仪员∧さ慕峁菇醒究、紫外一可见光猇止夤舛燃啤⑺奶秸敕兜卤しǚ直鸲员∧す庋Ш偷缪性质进行了深入的研究。文章最后给出了实验结论。关键词:氧化镍薄膜射频磁控溅射
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录目.........⋯.第二章∧ば灾屎椭票讣际酰⋯⋯.....⋯.........⋯..谢.⋯...........⋯.......摘第一章绪论...第三章磁控溅射制备氧化镍薄膜第四章溅射电压不同时∧さ男灾时浠坝跋第五章/不同时∧さ男灾时浠坝跋第六章衬底温度和靶距不同时∧さ男灾时浠坝跋欤结论..致参考文献.....................要韭畚牡难芯恳庖搴椭饕Q芯磕谌∧さ幕拘灾∧さ谋碚鞣椒趴亟ι銷薄膜成膜过程和主要影响田素ι涞缪共煌盢薄膜的结构特性ι涞缪共煌盢薄膜的光学带隙ι涞缪共煌盢薄膜的电学特性/不同时∧さ慕峁固匦不同时∧さ墓庋匦/不同时∧さ牡缪匦牡孜露炔煌盢薄膜的结构特性牡孜露炔煌盢薄膜的光学特性牡孜露炔煌盢薄膜的电学特性芯嗖煌盢薄膜的性质及其影响该鞯嫉绫∧さ姆掷该鞯嫉缪趸锉∧さ姆⒄骨魇破健в∧さ挠Υ∧さ闹票阜椒趴亟ι湓砥健氐∧さ闹票腹∧ば灾什馐越峁ι涞缪共煌盢薄膜的光学特性不同时∧さ墓庋Т.....
第一章绪论该鞯嫉绫∧さ姆掷近些年来随着科学技术的飞速发展,材料的研究和发展日新月异。所有的变革都与人们的生活息息相关。半导体材料也成为人们材料研究的主要对象。从第一代硅、锗元素半导体材料到第二代化合物半导体的飞速发展是半导体工业的新纪元。第一只晶体管由锗材料构成,目前半导体材料普遍采用硅材料,据报道硅材料圆晶在%以上。但是硅是元素半导体,与化台物半导体材料相比较,它没有化合物半导体材料所具有的性质,因此除了硅等元素半导体外,化合物半导体材料也受到广泛关注。这些化合物半导体最典型的由Ⅲ,逶K刈槌傻幕物半导体材料如砷化镓,砷铝化镓等,当有电流激活时,会发出激光,因此广泛应用在半导体激光器方面。随着人们生活需要的不断提高,军事工业的加强,这些都对半导体材料的研究和发展起到了巨大的推动作用。但是这些材料的禁带宽度较小,相比之下所谓的第三代金属氧化物半导体材料由于具有较宽的禁带宽度,很好的光学,电学以及化学稳定性也在光电器件上发挥了重要应用。这些宽带隙的第三代半导体材料包括由Ⅳ族元素构成的氲继宀料,由,Ⅵ族元素构成的氧化锌,硫化锌取S捎赯,等金属氧化物作为型半导体材料已经得到了很广泛的应用。,而最近几年金属氧化物宽带隙半导体材料得到人们的广泛关注。通常情况下,例如金属和合金基半导体都是不透明的导电材料。但是,在实际应用中,比如当我们要应用纵向电光效应制作9厥保G笥τ玫谋∧げ牧不仅需要导电而且还需要某一个波段的光,这类薄膜就是透明导电薄膜。一般情诳杉獠ǘ文耐腹时冉细摺透过率要大于%,而且电导率要在韵拢饩鸵G蟛牧系拇犊从物理学的理论方面考虑,材料的透光性和导电性是一对基本矛盾,为了使况下人们认为透明导电薄膜是:G蟾帽∧さ绲悸室8撸簿褪撬担该鞯嫉绫∧な牵嚎杉獾钠骄度要大于钡嫉缧栽胶谩
二者更好的结合在一起,人们丌始了对透明导电氧化物的研究。新型透明导电及复合多层膜的开发和设计都是围绕着这样一对主要矛盾进行的