辉光放电质谱仪+辉光放电质谱应用概况.doc

辉光放电质谱仪辉光放电质谱应用概况辉光放电质谱应用概况摘要:辉光放电质谱法(GDMS)作为一种固体样品直接分析技术,已广泛应用于金属、导体、半导体,气体、深度等材料的痕量和超痕量杂质分析。近年来,随着制样方法和离子源装置的改进,GDMS同样也能很好地应用于玻璃、陶瓷、氧化物粉末等非导体材料的成分分析。本文主要对其进行分类概述。关键词:辉光放电质谱应用辉光放电质谱法(GDMS)被认为是目前对固体导电材料直接进行痕量及超痕量元素分析的最有效的手段。由于其可以直接固体进样,近20年来已广泛应用于高纯金属、合金等材料的分析。GDMS不仅具有优越的检测限和宽动态线性范围的优点[1-2],而且样品制备简单、元素间灵敏度差异小、基体效应低[3]。自VGIsotopes公司(现名ThermoElectron)1在上世纪八十年代推出了其VG9000型辉光放电质谱分析仪以来[4],大大促进了该技术迅速发展,相关的报道倍增[5]。GDMS以其优越的分析性能在电子学、化学、冶金、地质以及材料科学等领域里得到广泛应用,在高纯金属和半导体材料分析中已经显示出它的优越性[6-10],对它在绝缘体、粉末、液体、有机物和生物材料分析以及负离子测定中的应用也在积极进行研究和完善,发展前景十分广阔。1基本原理辉光放电(GD)属于低压下气体放电现象,历史上就作为一种有效的原子化和离子化源用于分析。如图1所示,在辉光放电质谱的离子源中被测样品作为辉光等离子体光源的阴极,在阴极与阳极之间充入惰性气体(一般为氩气),并维持压力为10,1000Pa。在电极两端加500,1500V的高电压时,Ar电离成电子和Ar+,Ar+在电场的作用下加速移向阴极。阴极样品的原子在氩离子的撞击下,以5,15eV的能量从阴极样品上被剥离下来(阴极溅射),进入等到离子体,在等离子体中与等离子体中的电子或亚稳态的Ar原子碰撞(Penning)电离,变成正离子:M+e-?M++2e-,M+Ar*一M++Ar+e-。已经证实在GD源中Penning离子化是居于主导地位的电离过程[11]。22应用2(1半导体分析半导体材料的杂质分析也是GDMS一个重要的应用领域,具有很大的商业价值。半导体材料中浓度极低的杂质元素就决定了其电学性质,但半导体的材料性质及杂质元素的含量水平不是一般分析方法所能胜任的。GDMS所具有的特点使其已成为高纯半导体材料乃至半导体工业材料必不可少的分析手段,如表1所示。Beeker等使用RF—GDMS测定GaAs中的10个元素,并与其它质谱方法SSMS、SIMS和LA—ICPMS的分析结果相比较。Krishna等对高纯镉中的15种元素进行了测定,许多元素的分析结果与ICP—MS的结果吻合。此外国内的研究者也在GDMS分析半导体材料中杂质元素方面作了许多研究,分别对高纯镉[12]、高纯碲[13]、高纯锑[14]、高纯锗[15]、碲锌镉晶体[16]进行了测定。,块状金属(如高纯3金属、合金)最为理想,也是其最重要的应用领域。分析时,块状金属几乎不需要样品制备,仅简单的切割或加工成适合的形状(如针状或圆盘状),固定于离子源中即可。通过预溅射阶段,清洁试样表面的污染后进行分析。GDMS几乎可以分析周期表中的所有元素,并具有极低的检出限(双聚焦的仪器可达亚ng,g级)。GDMS的金属材料分析应用的研究报道很多,如表2所示,大部分集中在对痕量元素的测定上,目前GDMS已逐渐成为国际上高纯金属材料、高纯合金材料、稀贵金属及溅射靶材杂质分析的重要方法。Vassamillet[17]描述了GDMS在高纯铝生产中质量控制中的应用;Hutton与Raith[6]使用四极杆GDMS分析纯铜中的杂质元素,结果与认定值吻合极好,,,μg,g之间。Raparth等[8]采用铁基标样得到相对灵敏度因子(RSF)值,使用GD-QMS对用于高温合金生产的原料纯钴中的20个元素进行了测定,结果与化学法测定值吻合很好。由于GDMS的基体效应小,RSF几乎不受合金组成的影响,而且具有很宽的线性响应范围(9个数量级),对样品中的常量、微量及痕量元素能同时进行分析,并获得很好的分析结果,同时对于一般方法难以测定的非金属元素也能直接测定,这些使得GDMS成为钢等合金材料的理想分析方法之一。Jakubowski等使用四极杆辉光放光放电质谱在优化的条件下分析NIST1261钢铁标准的30个元素,(镍),0(4μg,g(铅),分析结果与认定值十分吻合;Itoh等使用GDMS测定2(25Cr一1Mo钢中的Ti,对质谱干扰Mo2+和FeAr2+采用数学方法进行扣除,检出限达到38ng,g。X(Feng等对铝合金中的Bi,Co,Cu,Ge,Mg,Mn,