各类存储器介绍.doc

简介英文简称ROM。ROM所存数据,一般是装入整机前事先写好的,整机工作过程中只能读出,而不像随机存储器RAM那样能快速地、方便地加以改写。ROM所存数据稳定,断电后所存数据也不会改变;其结构较简单,读出较方便,因而常用于存储各种固定程序和数据。除少数品种的只读存储器(如字符发生器)可以通用之外,不同用户所需只读存储器的内容不同。为便于使用和大批量生产,进一步发展了可编程只读存储器(PROM)、可擦可编程序只读存储器(EPROM)和电可擦可编程只读存储器(EEPROM)。例如早期的个人电脑如AppleII或IBMPCXT/AT的开机程序(操作系统)或是其他各种微电脑系统中的韧体(Firmware)。EPROM需用紫外光长时间照射才能擦除,使用很不方便。20世纪80年代制出的EEPROM,克服了EPROM的不足,但集成度不高,价格较贵。于是又开发出一种新型的存储单元结构同EPROM相似的快闪存储器Nor/NANDFlash。其集成度高、功耗低、体积小,又能在线快速擦除,因而获得飞速发展,并有可能取代现行的硬盘和软盘而成为主要的大容量存储媒体。大部分只读存储器用金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管制成。ROM种类 只读内存(Read-OnlyMemory)是一种只能读取资料的内存。在制造过程中,将资料以一特制光罩(mask)烧录于线路中,其资料内容在写入后就不能更改,所以有时又称为“光罩式只读内存”(maskROM)。此内存的制造成本较低,常用于电脑中的开机启动。 可编程程序只读内存(ProgrammableROM,PROM)之内部有行列式的镕丝,是需要利用电流将其烧断,写入所需的资料,但仅能写录一次。PROM在出厂时,存储的内容全为1,用户可以根据需要将其中的某些单元写入数据0(部分的PROM在出厂时数据全为0,则用户可以将其中的部分单元写入1),以实现对其“编程”的目的。PROM的典型产品是“双极性熔丝结构”,如果我们想改写某些单元,则可以给这些单元通以足够大的电流,并维持一定的时间,原先的熔丝即可熔断,这样就达到了改写某些位的效果。另外一类经典的PROM为使用“肖特基二极管”的PROM,出厂时,其中的二极管处于反向截止状态,还是用大电流的方法将反相电压加在“肖特基二极管”,造成其永久性击穿即可。 可抹除可编程只读内存(ErasableProgrammableReadOnlyMemory,EPROM)可利用高电压将资料编程写入,抹除时将线路曝光于紫外线下,则资料可被清空,并且可重复使用。通常在封装外壳上会预留一个石英透明窗以方便曝光。 一次编程只读内存(OneTimeProgrammableReadOnlyMemory,OTPROM)之写入原理同EPROM,但是为了节省成本,编程写入之后就不再抹除,因此不设置透明窗。 电子式可抹除可编程只读内存(ElectricallyErasableProgrammableReadOnlyMemory,EEPROM)之运作原理类似EPROM,但是抹除的方式是使用高电场来完成,因此不需要透明窗。 (Flashmemory)的每一个记忆胞都具有一个“控制闸”与“浮动闸”,利用高电场改变浮动闸的临限电压即可进行编程动作