模拟电子技术基础(李国丽)第一章习题答案讲义教材.doc

、结构完整的半导体称为本征半导体,掺入杂质后称杂质半导体。若掺入五价杂质,其多数载流子是电子。,空穴浓度C电子浓度;在N型半导体中,空穴浓度B电子浓度;在P型半导体中,空穴浓度A电子浓度。(,,),多数载流子的浓度主要取决于C,而少数载流子的浓度与A关系十分密切。(,,),扩散电流A漂移电流,耗尽层E;当PN结外加反向电压时,扩散电流B漂移电流,耗尽层D。(,,,,,F不变),PN结具有单向导电性,即处于正向偏置时,处于导通状态;反向偏置时,处于截止状态。,反向电流一般_C_;普通小功率锗二极管的正向导通压降约为_A_,反向电流一般_D_。(~,~,,)℃时的伏安特性如图选择题7中实线所示,在温度为T1时的伏安特性如图中虚线所示。在25℃时,,反向击穿电压为160伏,反向电流为10-6安培。温度T1小于25℃。(大于、小于、等于)。普通二极管工作在特性曲线的正向区;稳压管工作在特性曲线的反向击穿区。(正确的在括号内画√,错误的画×)。(×),掺入高浓度的五价磷元素可以改型为N型半导体。(√),N型半导体带负电。(×)。(√),所以当把PN结两端短路时就有电流流过。(×),又描写了PN结的反向击穿特性。(×),它通常工作在反向击穿状态(√),它不允许工作在正向导通状态(×)。,,忽略D的导通压降和死区电压,画出各电路相应的输出电压波形。:(a)图中,vi>0时,二极管截止,vo=0;vi<0时,二极管导通,vo=vi。(b)图中,二极管导通,vo=vi+10。(c)图中,二极管截止,vo=0。。。:(a)(b),已知D1为锗二极管,其死区电压Vth=,;D2为硅二极管,其死区电压为Vth=,。求流过D1、D2的电流I1和I2。:由于D1的死区电压小于D2的死区电压,应该D1先导通。设D1通、D2截止,此时D2两端电压=I1×100+=,所以D2截止,因此I2=,反向饱和电流为10μA,反向击穿电压为30V,并假设一旦击穿反向电压保持30V不变,不随反向击穿电流而变化。。:(a)图中,两个二极管导通,(b)图中,由于D2