COMSIC工艺流程.ppt

目标通过本章的学****将能够:1. 画出典型的亚微米CMOSIC制造流程图;2. 描述CMOS制造工艺14个步骤的主要目的;4. 讨论每一步CMOS制造流程的关键工艺。Figure7-(Fieldoxide)SiliconsubstrateSilicondioxideoxygenPhotoresistDevelopoxidePhotoresistCoatingphotoresistMask-WaferAlignmentandExposureMaskUVlightExposedPhotoresistexposedphotoresistGSDActiveRegionstopnitrideSDGsiliconnitrideNitrideDepositionContactholesSDGContactEtchIonImplantationresistoxDGScanningionbeamSMetalDepositionandEtchdrainSDGMetalcontactsPolysiliconDepositionpolysiliconSilanegasDopantgasOxidation(Gateoxide)l4gaspolygateRFPowerFigure7-1. 双井工艺2. 浅槽隔离工艺3. 多晶硅栅结构工艺4. 轻掺杂漏(LDD)注入工艺5. 侧墙的形成6. 源/漏(S/D)注入工艺7. 接触孔的形成8. 局部互连工艺9. 通孔1和金属塞1的形成10. 金属1互连的形成11. 通孔2和金属2的形成12. 金属2互连的形成13. 制作金属3、压点及合金14. 参数测试PassivationlayerBondingpadmetalp+SiliconsubstrateLIoxideSTIn-wellp-wellILD-1ILD-2ILD-3ILD-4ILD-5M-1M-2M-3M-4Polygatep-Epitaxiallayerp+ILD-6LImetalViap+p+n+n+n+2314567891011121314CMOS制作步骤Figure7-一、双井工艺n-wellFormation1)外延生长2)厚氧化生长保护外延层免受污染;阻止了在注入过程中对硅片的过渡损伤;作为氧化物屏蔽层,有助于控制注入过程中杂质的注入深度。3)第一层掩膜4)n井注入(高能)5)-p-wellFormation1)第二层掩膜2)P井注入(高能)3)-二、浅曹隔离工艺STI槽刻蚀1)隔离氧化层2)氮化物淀积3)第三层掩膜,浅曹隔离4)STI槽刻蚀(氮化硅的作用:坚固的掩膜材料,有助于在STI氧化物淀积过程中保护有源区;在CMP中充当抛光的阻挡材料。)-STIOxideFill1)沟槽衬垫氧化硅2)-STIFormation1)浅曹氧化物抛光(化学机械抛光)2)-三、PolyGateStructureProcess晶体管中栅结构的制作是流程当中最关键的一步,因为它包含了最薄的栅氧化层的热生长以及多晶硅栅的形成,而后者是整个集成电路工艺中物理尺度最小的结构。1)栅氧化层的生长2)多晶硅淀积3)第四层掩膜,多晶硅栅4)-四、轻掺杂;漏注入工艺随着栅的宽度不断减小,栅下的沟道长度也不断减小。这就增加源漏间电荷穿通的可能性,并引起不希望的沟道漏电流。LDD工艺就是为了减少这些沟道漏电流的发生。n-LDDImplant1)第五层研磨2)n-LDD注入(低能量,浅结)-