f/MHz图10测量数据导出的1Z。。量电路见图11。注意被测设备浮地,这比插人共模扼流罔更有利于减少共模发射,C代表底座与地平面之间的电容。图11差模源阻抗测试电路测量插入前后的,根据式(3),可得到衰减ll。利用}zlIzllI4l,从lzI和测量衰减lAl,,见图12。c=f/MHz图12由测试数据导出的lz。l与IZ4小结在总结的各种噪声源内阻测定法的基础上,运用插入损耗法对Boost开关电源的共模和差模干扰等效内阻进行了实测,其测试结果可以反映出干扰源内阻模阻抗随频率变化的趋势,从而可以知道其内阻是感性还足容性。这样,我们可以针对干扰源内阻的特点设计EMI滤波器。所以当得到开关电源干扰源等效内阻时,就可对实际的EMI滤波器的抑制效果进行预测,进而方便EMC设li1人员对现有的开关电源设计进行评估。参考文献[1]:Noisesourceequivalentcircuitmodelforoff—lineconvertersanditsuseininputfilterdesign[C],Piscataway,NJ:IEEE,1983,167—175.【2]KyeYakSee,?,(3):862—868.[3],,,—h【leconveners[(5):820—,马伟明,张磊,【JJ_电lT技术学报,2005,20(6):25—29.『5】和军平,姜建国,,电力电子技术,2001,35(8):32—:王颖E—mail:******@eesi.
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