全桥逆变电路中IGBT电压浪涌产生的机理分析.doc

:1009-1130(2006)02-0057-04全桥逆变电路中IGBT电压浪涌产生的机理分析王娟1,朱晓华2,田松亚2,孙烨2(,江苏常州213022;,江苏常州213022)摘要:通过对全桥逆变电路工作过程的分析,认为高频变压器中的漏感、吸收回路中的电感,以及续流二极管在IGBT关断瞬间不能及时导通续流是绝缘栅双极型晶体管IGBT电压产生浪涌的根本原因;指出在保护电路中选取适当的电阻和电容值,减小变压器漏感,降低吸收回路电感是控制IGBT电压浪涌的有效方法;:IGBT;硬开关;逆变;浪涌中图分类号:TM464文献标识码:A逆变器的电路拓扑结构有推挽式、全桥式、半桥式、单端正激式、,,在同样的耐压和电流情况下,,国内外许多厂家如时代、瑞凌、日本松下、,绝缘栅双极型晶体管IGBT在高压下导通,在大电流下关断的过程是强迫开关过程,,就可以大大延长IGBT的使用寿命,(VD1、VD2、VD3、VD4)和高频变压器等器件组成,￣D4与VD1￣VD4反向并联,￣,VD2和VD3是一组,、VD4和VD2、VD3时,逆变主电路将直流高压转换为20kHz的高频交流电压并送到高频变压器,经降压整流滤波后输出[1].在VD1、VD4从导通状态转到关断状态期间,变压器原边经2条回路续流,一条是经T原边B端→→R3→R1→C1→T原边A端对C1、C3充电,另一条是经T原边B端→C4→R4→R2→C2→T原边A端对C2、、VD3的集射极电压Uce达到续流二极管的导通条件时,D2、D3导通,向电源回馈能量,此时VD2的Uce被钳位为电源电压,直到VD2、VD3导通[2].收稿日期:2006-02-22作者简介:王娟(1983-),女,江苏连云港人,本科生,(即续流二极管导通,变压器原边开始续流的初始时刻)最易产生电压尖峰[2],[3]可知:(1)Ucep=Ud+Ufm+Ldi式中:Ucep为集射间的峰值电压;Ud为直流高压;Ufm为二极管暂态正向压降,1200